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1. (WO2018003565) 半導体パッケージ製造用支持体、半導体パッケージ製造用支持体の使用、及び半導体パッケージの製造方法
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国際公開番号: WO/2018/003565 国際出願番号: PCT/JP2017/022504
国際公開日: 04.01.2018 国際出願日: 19.06.2017
IPC:
H01L 21/56 (2006.01) ,C09J 201/00 (2006.01) ,H01L 21/301 (2006.01) ,H01L 21/52 (2006.01) ,H01L 23/12 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50
サブグループ21/06~21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
56
封緘,例.封緘層,被覆
C 化学;冶金
09
染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
J
接着剤;接着方法一般の非機械的観点;他に分類されない接着方法;物質の接着剤としての使用
201
不特定の高分子化合物に基づく接着剤
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
301
半導体本体を別個の部品に細分割するため,例.分離する
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50
サブグループ21/06~21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
52
容器中への半導体本体のマウント
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
12
マウント,例.分離できない絶縁基板
出願人:
日本ゼオン株式会社 ZEON CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内一丁目6番2号 6-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1008246, JP
発明者:
枦山 一郎 HAZEYAMA Ichiro; JP
代理人:
杉村 憲司 SUGIMURA Kenji; JP
優先権情報:
2016-12805528.06.2016JP
発明の名称: (EN) SUPPORT FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR PACKAGES, USE OF SUPPORT FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR PACKAGES, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR PACKAGES
(FR) SUPPORT DE FABRICATION DE BOÎTIERS DE SEMI-CONDUCTEURS, SON UTILISATION ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE BOÎTIERS DE SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体パッケージ製造用支持体、半導体パッケージ製造用支持体の使用、及び半導体パッケージの製造方法
要約:
(EN) The purpose of the present invention is to provide: a support for manufacturing semiconductor packages which exhibits superior durability in various processes such as polishing, heating, exposure/development, plating, and vacuum processing; use of said support for manufacturing semiconductor packages; and a method for manufacturing semiconductor packages. This support for manufacturing semiconductor packages has a base layer and an adhesive layer adjacent to the base layer, wherein the base layer is formed from a resin film containing an alicyclic structure.
(FR) La présente invention concerne : un support de fabrication de boîtiers de semi-conducteurs qui présente une durabilité supérieure dans divers procédés tels que le polissage, le chauffage, l'exposition/le développement, le placage et le traitement sous vide ; l'utilisation dudit support pour la fabrication de boîtiers de semi-conducteurs ; et un procédé de fabrication de boîtiers de semi-conducteurs. Ce support de fabrication de boîtiers de semi-conducteurs comporte une couche de base et une couche adhésive adjacente à la couche de base, la couche de base étant formée à partir d'un film de résine contenant une structure alicyclique.
(JA) 本発明は、研磨処理、加熱処理、露出・現像処理、めっき処理、及び真空処理等の各処理における耐久性に優れる半導体パッケージ製造用支持体、この半導体パッケージ製造用支持体の使用、及び半導体パッケージの製造方法の提供を目的とする。本発明の半導体パッケージ製造用支持体は、基材層と、前記基材層に隣接する粘着層とを有する半導体パッケージ製造用支持体であって、前記基材層が、脂環構造含有樹脂フィルムからなるものである。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)