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1. (WO2018003374) 半導体光デバイスの製造方法および半導体光デバイス
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2018/003374    国際出願番号:    PCT/JP2017/020050
国際公開日: 04.01.2018 国際出願日: 30.05.2017
IPC:
H01L 33/30 (2010.01), H01L 33/10 (2010.01)
出願人: DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD. [JP/JP]; 4-14-1, Sotokanda, Chiyoda-ku Tokyo 1010021 (JP)
発明者: YAMAMOTO Jumpei; (JP).
IKUTA Tetsuya; (JP)
代理人: SUGIMURA Kenji; (JP)
優先権情報:
2016-129547 30.06.2016 JP
発明の名称: (EN) MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE, AND SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF OPTIQUE EN SEMICONDUCTEUR ET DISPOSITIF OPTIQUE EN SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体光デバイスの製造方法および半導体光デバイス
要約: front page image
(EN)Provided are: a manufacturing method for a semiconductor optical device including an InGaAsP-type group III-V compound semiconductor layer including at least In and P, wherein the thickness of the semiconductor optical device can be reduced more than those in the present art; and a semiconductor optical device. This manufacturing method for a semiconductor optical device comprises a step for forming a semiconductor laminated body 30 on an InP growth substrate 10, a step for bonding, via at least a metal bonding layer 70, the semiconductor laminated body 30 to a support substrate 80 comprising an Si substrate, and a step for removing the InP growth substrate 10.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif optique en semiconducteur comprenant une couche en semiconducteur à base d'un composé de type InGaAsP du groupe III-V contenant au moins de l'In et du P. L'épaisseur du dispositif optique en semiconducteur peut être réduite davantage en comparaison de l'état de la technique. L'invention concerne également un tel dispositif optique en semiconducteur. Le procédé de fabrication du dispositif optique en semiconducteur selon la présente invention comprend les étapes de formation d'un corps stratifié en semiconducteur (30) sur un substrat de croissance en InP (10), la liaison, par le biais d'au moins une couche de liaison métallique (70), du corps stratifié en semiconducteur (30) à un substrat support (80) comprenant un substrat en Si, et le retrait du substrat de croissance en InP (10).
(JA)InおよびPを少なくとも含むInGaAsP系III-V族化合物半導体層を含む半導体光デバイスにおいて、従来よりも厚みを小さくすることのできる半導体光デバイスの製造方法および半導体光デバイスを提供する。 本発明の半導体光デバイスの製造方法は、InP成長用基板10上に半導体積層体30を形成する工程と、半導体積層体30を、少なくとも金属接合層70を介してSi基板からなる支持基板80と接合する工程と、InP成長用基板10を除去する工程と、を有する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)