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1. (WO2018003372) 基板処理装置及び基板処理方法並びに記憶媒体
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2018/003372    国際出願番号:    PCT/JP2017/019980
国際公開日: 04.01.2018 国際出願日: 30.05.2017
IPC:
H01L 21/027 (2006.01), C23C 16/46 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP)
発明者: MISAKA, Shinichiro; (JP)
代理人: YAYOY PATENT OFFICE; (JP)
優先権情報:
2016-126300 27.06.2016 JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND STORAGE MEDIUM
(FR) SYSTÈME DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET SUPPORT DE STOCKAGE
(JA) 基板処理装置及び基板処理方法並びに記憶媒体
要約: front page image
(EN)[Problem] To provide a technique with which the uniformity of heat processing in the plane of a substrate can be improved. [Solution] During heat processing of a wafer W as a substrate placed on a heat plate 23 provided with a plurality of heat control areas which are set in a circumferential direction of the heat plate and which are each independently temperature-controlled, deformation of the wafer W is detected by a detection module 11. On the basis of the result of detection, the orientation of the wafer W in the circumferential direction is adjusted using the detection module 11, and then the wafer W is transferred to a heat module 12 and predetermined heat processing is performed. Accordingly, when the wafer W is deformed such that the height thereof with respect to a plane orthogonal to the central axis thereof varies in the circumferential direction, an area of the wafer W that has a large amount of deformation can be prevented from being placed at a boundary of the plurality of heat control areas. Thus, the temperature control in the heat control areas can be more readily reflected in the wafer temperature, and the uniformity of the heat processing in the plane of the wafer can be improved.
(FR)L'invention aborde le problème de la réalisation d'une technique qui permet d'améliorer l'uniformité du traitement thermique dans le plan d'un substrat. Avec la solution selon l'invention, pendant le traitement thermique d'une galette (W) en tant que substrat placée sur une plaque chauffante (23) pourvue d'une pluralité de zones de régulation de chauffage qui sont définies dans une direction circonférentielle de la plaque chauffante et qui sont chacune commandées en température indépendamment, la déformation de la galette (W) est détectée par un module de détection (11). En se basant sur le résultat de la détection, l'orientation de la galette (W) dans la direction circonférentielle est ajustée en utilisant le module de détection (11), puis la galette (W) est transférée à un module chauffant (12) et un traitement thermique prédéterminé est effectué. Par conséquent, lorsque la galette (W) est déformée au point que sa hauteur par rapport à un plan orthogonal à son axe central varie dans la direction circonférentielle, il est possible d'empêcher qu'une zone de la galette (W) qui présente un niveau de déformation important soit placée à une limite de la pluralité de zones de régulation de chauffage. Ainsi, la régulation de température dans les zones de régulation de chauffage peut être plus facilement reflétée dans la température de la galette, et l'uniformité du traitement thermique dans le plan de la galette peut être améliorée.
(JA)【課題】基板の面内における加熱処理の均一性を改善できる技術を提供すること。 【解決手段】その周方向に沿って複数設定されると共に、各々独立して温度制御される複数の加熱制御領域を備えた熱板23に基板であるウエハWを載置して加熱処理するにあたり、検出モジュール11にてウエハWの変形を検出する。そして、この検出結果に基づいて検出モジュール11にてウエハWの周方向の向きを調整してから、加熱モジュール12に搬送し、所定の加熱処理を行う。従って、ウエハWが、その中心軸と直交する面に対する高さが周方向で異なるように変形しても、ウエハWにおいて変形量が大きい領域が、複数の加熱制御領域同士の境界に載置されることが抑えられる。このため、加熱制御領域の温度制御がウエハ温度に反映されやすく、ウエハ面内における加熱処理の均一性を改善することができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)