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1. (WO2018003167) シリコン単結晶の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/003167 国際出願番号: PCT/JP2017/006782
国際公開日: 04.01.2018 国際出願日: 23.02.2017
IPC:
C30B 29/06 (2006.01) ,C30B 15/00 (2006.01) ,C30B 15/20 (2006.01)
出願人: SUMCO CORPORATION[JP/JP]; 2-1 Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058634, JP
発明者: SAITO, Yasuhiro; JP
SAISHOJI, Toshiaki; JP
TANABE, Kazumi; JP
代理人: TOKOSHIE PATENT FIRM; JP
優先権情報:
2016-12728328.06.2016JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING SILICON MONOCRYSTAL
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D’UN MONOCRISTAL DE SILICIUM
(JA) シリコン単結晶の製造方法
要約: front page image
(EN) According to the present invention, correlations between a diameter (D) of a monocrystal (C) when being pulled up by a CZ process, a horizontal magnetic field strength (G) to be applied to a melt (M), a crystal rotation speed (V) of the monocrystal (C) being pulled up, and an oxygen concentration distribution characteristic (δ) at an outer periphery of a wafer are determined in advance for a prescribed production condition. Then, a minimum diameter of the monocrystal to be pulled up is determined on the basis of a limit value of the oxygen concentration distribution characteristic at the outer periphery of the wafer, a limit value of the horizontal magnetic field strength, a limit value of the crystal rotation speed of the monocrystal being pulled up, and the determined correlations. A silicon monocrystal is produced under the prescribed production condition using the determined minimum diameter as a target diameter.
(FR) La présente invention concerne, des corrélations entre un diamètre (D) d’un monocristal (C) lorsqu’il est tiré par un procédé (CZ), l’intensité du champ magnétique horizontal (G) à appliquer à une masse fondue (M), une vitesse de rotation de cristal (V) du monocristal (C) qui est tiré, et une caractéristique de distribution de la concentration en oxygène (δ) à une périphérie externe d’une tranche qui sont déterminées à l’avance pour une condition de production prescrite. Ensuite, un diamètre minimal du monocristal à tirer est déterminé sur la base d’une valeur limite de la caractéristique de distribution de la concentration en oxygène à la périphérie externe de la tranche, une valeur limite de l’intensité du champ magnétique horizontal, une valeur limite de la vitesse de rotation de cristal du monocristal qui est tiré, et les corrélations déterminées. Un monocristal de silicium est produit sous les conditions de production prescrites en utilisant le diamètre minimal déterminé comme diamètre cible.
(JA) CZ法により引き上げる際の単結晶(C)の直径(D)と、融液(M)に印加する水平磁場強度(G)と、引き上げる際の単結晶(C)の結晶回転速度(V)と、ウェーハ外周部における酸素濃度の分布特性(δ)と、の相関関係を、所定の製造条件について予め求め、前記ウェーハ外周部における酸素濃度の分布特性の限界値と、前記水平磁場強度の限界値と、前記引き上げる際の単結晶の結晶回転速度の限界値と、前記相関関係とから、引き上げる際の単結晶の最小の直径を求め、当該求められた最小の直径を目標直径としてシリコン単結晶を前記所定の製造条件の下で製造する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)