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1. (WO2017221558) 半導体装置、及び半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2017/221558    国際出願番号:    PCT/JP2017/017328
国際公開日: 28.12.2017 国際出願日: 08.05.2017
IPC:
H01L 27/146 (2006.01), H01L 31/10 (2006.01), H04N 5/369 (2011.01)
出願人: SONY CORPORATION [JP/JP]; 1-7-1 Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075 (JP)
発明者: ENOMOTO Takayuki; (JP)
代理人: MATSUO Kenichiro; (JP)
優先権情報:
2016-122225 21.06.2016 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION METHOD
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION CORRESPONDANT
(JA) 半導体装置、及び半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)The objective of the invention is to reduce, in a semiconductor device provided with a low gas permeability shielding film, negative effects occurring at a dangling bond termination of the semiconductor substrate due to the presence of the shielding film. This semiconductor device comprises: a semiconductor substrate; an insulation layer layered on one surface side of the semiconductor substrate; a gas shielding film provided so as to cover a partial region of a surface on the side of the insulation layer facing away from the semiconductor substrate; and an air passage formed in the insulation layer covered by the gas shielding film. The air passage comprises: a first air passage extending in a direction that follows a boundary between the gas shielding film and the insulation layer; and a second air passage communicating with the first air passage and extending in a direction that does not follow the boundary. The second air passage communicates with an opening on the surface of the insulation layer that is not covered by the gas shielding film.
(FR)La présente invention vise à réduire, dans un dispositif semi-conducteur pourvu d'un film de protection à faible perméabilité aux gaz, des effets négatifs provoqués par le film de protection se produisant au niveau d'une terminaison de liaison pendante du substrat semi-conducteur. Le dispositif semi-conducteur comprend : un substrat semi-conducteur ; une couche d'isolation disposée sur un côté de la surface du substrat semi-conducteur ; un film de protection contre les gaz disposé de manière à recouvrir une région partielle d'une surface du côté de la couche d'isolation opposée au substrat semi-conducteur ; et un passage d'air formé dans la couche d'isolation recouverte par le film de protection contre les gaz. Le passage d'air comprend : un premier passage d'air s'étendant dans une direction qui suit une délimitation entre le film de protection contre les gaz et la couche d'isolation ; et un second passage d'air communiquant avec le premier passage d'air et s'étendant dans une direction qui ne suit pas la délimitation. Le second passage d'air communique avec une ouverture située sur la surface de la couche d'isolation qui n'est pas recouverte par le film de protection contre les gaz.
(JA)ガス透過性の低い遮蔽膜を設けた半導体装置において、遮蔽膜の存在により半導体基板のダングリングボンド終端に生じる悪影響を低減する。 半導体基板と、前記半導体基板の一方の面の側に積層された絶縁層と、前記絶縁層の前記半導体基板と反対側の面の一部領域を覆うように設けられたガス遮蔽膜と、前記ガス遮蔽膜に覆われた絶縁層の中に形成された通気路と、を備え、前記通気路は、前記ガス遮蔽膜と前記絶縁層の境界に沿う方向に延びる第1通気路と、前記第1通気路と連通し前記境界に沿わない方向に延びる第2通気路と、を有し、前記第2通気路は、前記ガス遮蔽膜が覆わない前記絶縁層の表面の開口に連通している、半導体装置。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)