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1. (WO2017217007) 半導体デバイスおよびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2017/217007 国際出願番号: PCT/JP2017/004768
国際公開日: 21.12.2017 国際出願日: 09.02.2017
IPC:
H01L 29/786 (2006.01)
出願人: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.[JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP
発明者: MIYANAGA, Miki; JP
WATATANI, Kenichi; JP
AWATA, Hideaki; JP
代理人: FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Festival Tower West, 2-4, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
優先権情報:
2016-11712513.06.2016JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
(JA) 半導体デバイスおよびその製造方法
要約: front page image
(EN) Provided are a semiconductor device and a method for manufacturing the same, the semiconductor device comprising a channel layer contacting a gate insulating layer, wherein the channel layer includes an oxide semiconductor containing indium, tungsten, and zinc; the tungsten content with respect to the total content of indium, tungsten, and zinc in the channel layer is greater than 0.01 at% and at most 8.0 at%; the channel layer includes a first region, a second region, and a third region in this order, the first region including a first surface which is in contact with the gate insulating layer, and the third region including a second surface that faces the first surface; and the tungsten content W3 (at%) with respect to the total content of indium, tungsten, and zinc in the third region is greater than the tungsten content W2 (at%) with respect to the total content of indium, tungsten, and zinc in the second region.
(FR) La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur et un procédé de fabrication associé, le dispositif semi-conducteur comprenant une couche de canal en contact avec une couche d'isolation de grille, la couche de canal comprenant un semi-conducteur d'oxyde contenant de l'indium, du tungstène et du zinc, la teneur en tungstène par rapport à la teneur totale en indium, tungstène, et zinc dans la couche de canal étant supérieure à 0,01 % atomique et d'un maximum de 8,0 % atomique, la couche de canal comprenant des première, deuxième et troisième régions, dans cet ordre, la première région comprenant une première surface qui est en contact avec la couche d'isolation de grille, la troisième région comprenant une seconde surface qui fait face à la première surface, et la teneur en tungstène W3 (en % atomique) par rapport à la teneur totale en indium, tungstène et zinc dans la troisième région étant supérieure à la teneur en tungstène W2 (en % atomique) par rapport à la teneur totale en indium, tungstène et zinc dans la deuxième région.
(JA) ゲート絶縁層に接して配置されるチャネル層を含み、チャネル層はインジウム、タングステンおよび亜鉛を含有する酸化物半導体を含み、チャネル層におけるインジウム、タングステンおよび亜鉛の合計に対するタングステンの含有率が0.01原子%より大きく8.0原子%以下であり、チャネル層は、ゲート絶縁層に接する第1表面を含む第1領域と、第2領域と、第1表面に対向する第2表面を含む第3領域とをこの順に含み、第3領域におけるインジウム、タングステンおよび亜鉛の合計に対するタングステンの含有率W3(原子%)は、第2領域におけるインジウム、タングステンおよび亜鉛の合計に対するタングステンの含有率W2(原子%)より大きい半導体デバイス、ならびにその製造方法が提供される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)