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1. (WO2017215146) METHOD FOR FORMING THIN FILM AND METHOD FOR FORMING ALUMINIUM NITRIDE THIN FILM
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2017/215146 国際出願番号: PCT/CN2016/100297
国際公開日: 21.12.2017 国際出願日: 27.09.2016
IPC:
C23C 14/02 (2006.01)
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
02
被覆される材料の前処理
出願人:
北京北方华创微电子装备有限公司 BEIJING NAURA MICROELECTRONICS EQUIPMENT CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市 北京经济技术开发区文昌大道8号 No.8 Wenchang Avenue Beijing Economic-Technological Development Area Beijing 100176, CN
発明者:
王军 WANG, Jun; CN
董博宇 DONG, Boyu; CN
郭冰亮 GUO, Bingliang; CN
耿玉洁 GENG, Yujie; CN
马怀超 MA, Huaichao; CN
代理人:
北京天昊联合知识产权代理有限公司 TEE&HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; 中国北京市 东城区建国门内大街28号民生金融中心D座10层张天舒 ZHANG, Tianshu 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center, 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District Beijing 100005, CN
優先権情報:
201610409464.712.06.2016CN
発明の名称: (EN) METHOD FOR FORMING THIN FILM AND METHOD FOR FORMING ALUMINIUM NITRIDE THIN FILM
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM MINCE ET APPAREIL DE FORMATION DE FILM MINCE EN NITRURE D’ALUMINIUM
(ZH) 形成薄膜的方法以及形成氮化铝薄膜的方法
要約:
(EN) A method for forming a thin film and a method for forming an aluminium nitride thin film. Two pre-sputtering processes having different process parameters are performed before primary sputtering to achieve the effect of stabilizing the status of a target. The method for forming a thin film can form an aluminium nitride thin film on a substrate, and the aluminium nitride thin film can be applied to a buffer layer between the substrate and a gallium nitride layer in an electronic device.
(FR) L'invention concerne un procédé de formation d'un film mince et un procédé de formation d'un film mince en nitrure d'aluminium. Deux processus de pré-pulvérisation ayant des paramètres de traitement différents sont effectués avant la pulvérisation primaire afin d'obtenir l'effet de stabilisation de l'état d'une cible. Le procédé de formation d'un film mince peut former un film mince en nitrure d'aluminium sur un substrat, et le film mince en nitrure d'aluminium peut être appliqué sur une couche tampon entre le substrat et une couche de nitrure de gallium dans un dispositif électronique.
(ZH) 一种形成薄膜的方法以及形成氮化铝薄膜的方法,利用主溅射之前先进行两次具有不同工艺参数的预溅射达到稳定靶材状况的效果。形成薄膜的方法可在基板上形成氮化铝薄膜,氮化铝薄膜可用于电子装置中位于基板与氮化镓层之间的缓冲层。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 中国語 (ZH)
国際出願言語: 中国語 (ZH)