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1. (WO2017212887) 垂直共振器面発光レーザ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2017/212887 国際出願番号: PCT/JP2017/018674
国際公開日: 14.12.2017 国際出願日: 18.05.2017
IPC:
H01S 5/042 (2006.01) ,H01S 5/183 (2006.01)
出願人: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.[JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
発明者: MATSUBARA, Ippei; JP
IWATA, Keiji; JP
KABURAKI, Shinji; JP
代理人: FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Festival Tower West, 2-4, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
優先権情報:
2016-11328807.06.2016JP
発明の名称: (EN) VERTICAL-CAVITY SURFACE-EMITTING LASER
(FR) LASER À CAVITÉ VERTICALE ÉMETTANT PAR LA SURFACE
(JA) 垂直共振器面発光レーザ
要約: front page image
(EN) In this vertical-cavity surface-emitting laser (10), a semiconductor multilayer film (5) provided on a semiconductor substrate (11) is provided with a first DBR layer (13), an active layer (15), a current confinement layer (23), and a second DBR layer (24). The upper surface of an insulating layer (31) covering the side ends of the semiconductor multilayer film (5) is connected to the upper surface of the semiconductor multilayer film (5) and extends along the semiconductor substrate (11). The end surface (62) of the insulating layer (31) is connected to the upper surface (61) of the insulating layer (31) and extends toward the semiconductor substrate (11). First and second contact electrodes (26, 27) are electrically connected with each of the first DBR layer (13) and the upper surface of the semiconductor multilayer film (5). A bonding pad (33) is provided either directly on the semiconductor substrate (11) or with an insulating film (30) therebetween. Metal wiring (32) provided on the insulating layer (31) connects the second contact electrode (26) and the bonding pad (33).
(FR) L'invention concerne un laser à cavité verticale émettant par la surface (10) dans lequel un film stratifié semi-conducteur (5) agencé sur un substrat semi-conducteur (11), est équipé d'une première couche de réflecteur Bragg réparti (13), d'une couche active (15), d'une couche bloquante (23) et d'une seconde couche de réflecteur Bragg réparti (24). Une face supérieure d'une couche isolante (31) revêtant une partie extrémité latérale du film stratifié semi-conducteur (5), est connectée à la face supérieure du film stratifié semi-conducteur (5) et se prolonge le long du substrat semi-conducteur (11). Une face extrémité (62) de la couche isolante (31) est connectée à la face supérieure (61) de la couche isolante (31) et se prolonge le long du substrat semi-conducteur (11). Une première ainsi qu'une seconde électrode de contact (26, 27) sont électriquement et respectivement connectées aux faces supérieures de la première couche de réflecteur Bragg réparti (13) et du film stratifié semi-conducteur (5). Un plot de connexion (33) est agencé sur le substrat semi-conducteur (11) directement ou avec un film isolant (30) pour intermédiaire. Un câblage métallique (32) est agencé sur ladite couche isolante (31), et connecte la seconde électrode de contact (26) et le plot de connexion (33).
(JA) 垂直共振器面発光レーザ(10)において、半導体基板上(11)に設けられた半導体積層膜(5)は、第1のDBR層(13)、活性層(15)、電流狭窄層(23)、および第2のDBR層(24)を備える。半導体積層膜(5)の側端部を覆う絶縁層(31)の上面は、半導体積層膜(5)の上面に接続し半導体基板(11)に沿って延在する。絶縁層(31)の端面(62)は、絶縁層(31)の上面(61)に接続し半導体基板(11)に向かって延在する。第1および第2のコンタクト電極(26,27)は、第1のDBR層(13)および半導体積層膜(5)の上面とそれぞれ電気的に接続される。ボンディングパッド(33)は、半導体基板(11)上に直接または絶縁膜(30)を介在して設けられる。金属配線(32)は、上記の絶縁層(31)上に設けられ、第2のコンタクト電極(26)とボンディングパッド(33)とを接続する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)