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1. (WO2017209251) 基板の製造方法、太陽電池の製造方法、基板および太陽電池
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2017/209251    国際出願番号:    PCT/JP2017/020471
国際公開日: 07.12.2017 国際出願日: 01.06.2017
IPC:
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522 (JP)
発明者: TAKAMOTO, Tatsuya; (--)
代理人: FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Festival Tower West, 2-4, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
優先権情報:
2016-110436 01.06.2016 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL, SUBSTRATE, AND SOLAR CELL
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLULE SOLAIRE, SUBSTRAT ET CELLULE SOLAIRE
(JA) 基板の製造方法、太陽電池の製造方法、基板および太陽電池
要約: front page image
(EN)A method for manufacturing a substrate (11), comprising: a step for implanting an atom species (2) into a semiconductor single crystal (1) including at least one atom selected from the group consisting of germanium, gallium, and indium; a step for forming a support substrate (3) on the surface (1a) of the semiconductor single crystal (1) after implantation of the atomic species (2), the support substrate (3) being formed by at least one method selected from the group consisting of deposition, CVD, plating, printing, sputtering, the sol-gel method, and thermal spraying; and a step for performing peeling with the support substrate (3) formed on a part (10) of the semiconductor crystal (1).
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat (11), comprenant : une étape d'implantation d'une espèce atomique (2) dans un monocristal semi-conducteur (1) comprenant au moins un atome choisi dans le groupe constitué par le germanium, le gallium et l'indium; une étape de formation d'un substrat de support (3) sur la surface (1a) du monocristal semi-conducteur (1) après implantation de l'espèce atomique (2), le substrat de support (3) étant formé par au moins un procédé choisi dans le groupe constitué par le dépôt, le dépôt chimique en phase vapeur (CVD), le placage, l'impression, la pulvérisation, le procédé sol-gel et la pulvérisation thermique; et une étape consistant à effectuer un pelage avec le substrat de support (3) formé sur une partie (10) du cristal semi-conducteur (1).
(JA)基板(11)の製造方法は、ゲルマニウム、ガリウムおよびインジウムからなる群から選択された少なくとも1つの原子を含む半導体単結晶(1)に原子種(2)を注入する工程と、半導体単結晶(1)の原子種(2)の注入後の表面(1a)上に、蒸着法、CVD法、メッキ法、印刷法、スパッタリング法、ゾルゲル法、および溶射法からなる群から選択された少なくとも1つの方法により支持基板(3)を形成する工程と、半導体結晶(1)の一部(10)に支持基板(3)を形成した状態で剥離する工程と、を含む。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)