WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
オプション
検索言語
語幹処理適用
並び替え:
表示件数
このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2017208505) 熱電材料、熱電素子、光センサおよび熱電材料の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2017/208505 国際出願番号: PCT/JP2017/005131
国際公開日: 07.12.2017 国際出願日: 13.02.2017
IPC:
H01L 35/26 (2006.01) ,B82Y 30/00 (2011.01) ,C01B 33/06 (2006.01) ,G01J 1/02 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01) ,H01L 35/14 (2006.01) ,H01L 35/32 (2006.01) ,H01L 35/34 (2006.01) ,H02N 11/00 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
35
異種材料の接合からなる熱電装置,すなわち他の熱電効果あるいは熱磁気効果を伴いまたは伴わないゼーベックまたはペルチェ効果を示すもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
12
接合の脚部材料の選択
26
材料内部で連続的または不連続的に変化する組成物を用いるもの
B 処理操作;運輸
82
ナノテクノロジー
Y
ナノ構造物の特定の使用または応用;ナノ構造物の測定または分析;ナノ構造物の製造または処理
30
材料または表面科学のためのナノテクノロジー,例.ナノ複合材料
C 化学;冶金
01
無機化学
B
非金属元素;その化合物
33
けい素;その化合物
06
金属けい化物
G 物理学
01
測定;試験
J
赤外線,可視光線または紫外線の強度,速度,スペクトル,偏光,位相またはパルスの測定;色の測定;放射温度測定
1
測光,例.写真の露出計
02
細部
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
35
異種材料の接合からなる熱電装置,すなわち他の熱電効果あるいは熱磁気効果を伴いまたは伴わないゼーベックまたはペルチェ効果を示すもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
12
接合の脚部材料の選択
14
無機組成物を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
35
異種材料の接合からなる熱電装置,すなわち他の熱電効果あるいは熱磁気効果を伴いまたは伴わないゼーベックまたはペルチェ効果を示すもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
28
ペルチェ効果またはゼーベック効果だけで動作するもの
32
装置を形成するセルまたは熱電対の構造または配列に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
35
異種材料の接合からなる熱電装置,すなわち他の熱電効果あるいは熱磁気効果を伴いまたは伴わないゼーベックまたはペルチェ効果を示すもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
34
これらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
H 電気
02
電力の発電,変換,配電
N
他類に属しない電機
11
他に分類されない発電機または電動機;電気的または磁気的手段により永久運動を得たと主張するもの
出願人: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.[JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP
発明者: ADACHI, Masahiro; JP
代理人: FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Festival Tower West, 2-4, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
優先権情報:
2016-10996801.06.2016JP
発明の名称: (EN) THERMOELECTRIC MATERIAL, THERMOELECTRIC ELEMENT, OPTICAL SENSOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THERMOELECTRIC MATERIAL
(FR) MATÉRIAU THERMOÉLECTRIQUE, ÉLÉMENT THERMOÉLECTRIQUE, CAPTEUR OPTIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MATÉRIAU THERMOÉLECTRIQUE
(JA) 熱電材料、熱電素子、光センサおよび熱電材料の製造方法
要約:
(EN) To achieve improved thermoelectric characteristics in a nanoparticle-containing thermoelectric material. The thermoelectric material comprises a first material having a band gap and a plurality of nanoparticles that are dispersed in a mixture of the first material with a second material, said second material being different from the first material. The first material contains Si and Ge. When the atom concentration (expressed in atom%) of the second material is represented by c and the composition ratio of Ge to Si is represented by r in the thermoelectric material, the atom concentration of the second material and the composition ratio satisfy the following relational requirements (1) and (2): r≥0.62c-0.25 ·· (1); and r≤0.05c-0.06 ·· (2).
(FR) L'objet de l'invention est d'obtenir des caractéristiques thermoélectriques améliorées dans un matériau thermoélectrique contenant des nanoparticules. Le matériau thermoélectrique comprend un premier matériau ayant une bande interdite et une pluralité de nanoparticules qui sont dispersées dans un mélange du premier matériau avec un second matériau, ledit second matériau étant différent du premier matériau. Le premier matériau contient du Si et du Ge. Lorsque la concentration en atomes (exprimée en pourcentage atomique) du second matériau est représentée par c et que le rapport de composition de Ge à Si est représenté par r dans le matériau thermoélectrique, la concentration en atomes du second matériau et le rapport de composition satisfont aux exigences relationnelles suivantes (1) et (2) : r ≥ 0,62c - 0,25.. (1); et r ≤ 0,05c - 0,06 ·· (2).
(JA) ナノ粒子を含む熱電材料において、より優れた熱電特性を実現する。 熱電材料は、バンドギャップを有する第1の材料と、第1の材料とは異なる第2の材料との混合体中に分散された複数のナノ粒子を備える。第1の材料はSiおよびGeを含む。熱電材料において、第2の材料の原子濃度(単位は原子%)をcとし、Siに対するGeの組成比をrとした場合に、第2の材料の原子濃度および組成比は、下記式(1)および(2)で表される関係式を満足する。 r≧0.62c-0.25 ・・・(1) r≦0.05c-0.06 ・・・(2)
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)