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1. WO2017159810 - 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム

公開番号 WO/2017/159810
公開日 21.09.2017
国際出願番号 PCT/JP2017/010747
国際出願日 16.03.2017
IPC
H01L 29/786 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786薄膜トランジスタ
G09F 9/30 2006.01
G物理学
09教育;暗号方法;表示;広告;シール
F表示;広告;サイン;ラベルまたはネームプレート;シール
9情報が個々の要素の選択または組合せによって支持体上に形成される可変情報用の指示装置
30必要な文字が個々の要素を組み合わせることによって形成されるもの
H01L 51/50 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
50光放出に特に適用されるもの,例.有機発光ダイオード(OLED)または高分子発光ダイオード(PLED)
H05B 33/02 2006.01
H電気
05他に分類されない電気技術
B電気加熱;他に分類されない電気照明
33エレクトロルミネッセンス光源
02細部
H05B 33/14 2006.01
H電気
05他に分類されない電気技術
B電気加熱;他に分類されない電気照明
33エレクトロルミネッセンス光源
12実質的に2次元放射面をもつ光源
14エレクトロルミネッセンス材料の配置あるいは化学的または物理的組成によって特徴づけられたもの
CPC
G02F 1/136286
GPHYSICS
02OPTICS
FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
1Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics
01for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
13based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
1362Active matrix addressed cells
136286Wiring, e.g. gate line, drain line
G02F 1/1368
GPHYSICS
02OPTICS
FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
1Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics
01for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
13based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
1362Active matrix addressed cells
1368in which the switching element is a three-electrode device
G02F 1/15
GPHYSICS
02OPTICS
FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
1Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics
01for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
15based on an electrochromic effect
G09F 9/30
GPHYSICS
09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
9Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
30in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
G09G 2300/0439
GPHYSICS
09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
2300Aspects of the constitution of display devices
04Structural and physical details of display devices
0439Pixel structures
H01L 27/1225
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
1222with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
1225with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
出願人
  • 株式会社リコー RICOH COMPANY, LTD. [JP]/[JP] (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IR, IS, IT, JP, KE, KG, KH, KM, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW)
  • 植田 尚之 UEDA, Naoyuki [JP]/[JP] (US)
  • 中村 有希 NAKAMURA, Yuki [JP]/[JP] (US)
  • 安部 由希子 ABE, Yukiko [JP]/[JP] (US)
  • 松本 真二 MATSUMOTO, Shinji [JP]/[JP] (US)
  • 曽根 雄司 SONE, Yuji [JP]/[JP] (US)
  • 早乙女 遼一 SAOTOME, Ryoichi [JP]/[JP] (US)
  • 新江 定憲 ARAE, Sadanori [JP]/[JP] (US)
  • 草柳 嶺秀 KUSAYANAGI, Minehide [JP]/[JP] (US)
発明者
  • 植田 尚之 UEDA, Naoyuki
  • 中村 有希 NAKAMURA, Yuki
  • 安部 由希子 ABE, Yukiko
  • 松本 真二 MATSUMOTO, Shinji
  • 曽根 雄司 SONE, Yuji
  • 早乙女 遼一 SAOTOME, Ryoichi
  • 新江 定憲 ARAE, Sadanori
  • 草柳 嶺秀 KUSAYANAGI, Minehide
代理人
  • 廣田 浩一 HIROTA, Koichi
優先権情報
2016-05557118.03.2016JP
2016-15792010.08.2016JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) FIELD EFFECT TRANSISTOR, DISPLAY ELEMENT, IMAGE DISPLAY DEVICE, AND SYSTEM
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP, ÉLÉMENT D'AFFICHAGE, DISPOSITIF D'AFFICHAGE D'IMAGES, ET SYSTÈME
(JA) 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム
要約
(EN)
A field effect transistor has: a gate electrode for applying a gate voltage; a source electrode and a drain electrode for transmitting electrical signals; an active layer formed between the source electrode and the drain electrode; and a gate insulating layer formed between the gate electrode and the active layer, the field effect transistor being characterized in that the active layer includes at least two types of oxide layer, an A layer and a B layer; and the active layer satisfies condition (1) and/or (2) noted below. Condition (1): The active layer is composed of three or more oxide layers, including two or more of the A layer. Condition (2): The bandgap of the A layer is smaller than the bandgap of the B layer, and the oxygen affinity of the A layer is equal to or greater than the oxygen affinity of the B layer.
(FR)
L'invention concerne un transistor à effet de champ comprenant: une électrode de grille servant à appliquer une tension de grille; une électrode de source et une électrode de drain servant à transmettre des signaux électriques; une couche active formée entre l'électrode de source et l'électrode de drain; et une couche d'isolation de grille formée entre l'électrode de grille et la couche active, le transistor à effet de champ étant caractérisé en ce que la couche active comprend au moins deux types de couche d'oxyde, une couche A et une couche B; et la couche active satisfaisant les conditions (1) et/ou (2) énoncées ci-dessous. Condition (1) : la couche active est composée d'au moins trois couches d'oxyde, comprenant au moins deux couches de type A. Condition (2) : la bande interdite de la couche A est plus petite que la bande interdite de la couche B, et l'affinité pour l'oxygène de la couche A est supérieure ou égale à l'affinité pour l'oxygène de la couche B.
(JA)
ゲート電圧を印加するためのゲート電極と、 電気信号を伝達するためのソース電極及びドレイン電極と、 前記ソース電極及び前記ドレイン電極との間に形成された活性層と、 前記ゲート電極と前記活性層との間に形成されたゲート絶縁層と、を有する電界効果型トランジスタであって、 前記活性層が、少なくともA層とB層の2種類の酸化物層を含み、 前記活性層が、下記条件(1)及び(2)の少なくともいずれかを満たすことを特徴とする電界効果型トランジスタ。 条件(1):前記活性層が、2層以上の前記A層を含む3層以上の酸化物層から構成される。 条件(2)前記A層のバンドギャップが、前記B層のバンドギャップより小さく、かつ前記A層の酸素親和力が、前記B層の酸素親和力以上である。
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