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1. WO2017159613 - アクティブマトリクス基板

公開番号 WO/2017/159613
公開日 21.09.2017
国際出願番号 PCT/JP2017/009972
国際出願日 13.03.2017
IPC
H01L 29/786 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786薄膜トランジスタ
G09F 9/30 2006.01
G物理学
09教育;暗号方法;表示;広告;シール
F表示;広告;サイン;ラベルまたはネームプレート;シール
9情報が個々の要素の選択または組合せによって支持体上に形成される可変情報用の指示装置
30必要な文字が個々の要素を組み合わせることによって形成されるもの
H01L 21/3205 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
3205絶縁層へ非絶縁層,例.導電層または抵抗層,の付着;これらの層の後処理
H01L 21/336 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
336絶縁ゲートを有するもの
H01L 21/768 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
71グループH01L21/70で限定された装置の特定部品の製造
768装置内の別個の構成部品間に電流を流すため使用する相互接続を適用するもの
H01L 23/522 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
52動作中の装置内の1つの構成部品から他の構成部品へ電流を導く装置
522半導体本体上に分離できないように形成された導電層及び絶縁層の多層構造からなる外部の相互接続を含むもの
CPC
H01L 23/53223
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another ; , i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
522including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
532characterised by the materials
53204Conductive materials
53209based on metals, e.g. alloys, metal silicides
53214the principal metal being aluminium
53223Additional layers associated with aluminium layers, e.g. adhesion, barrier, cladding layers
H01L 23/53238
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another ; , i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
522including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
532characterised by the materials
53204Conductive materials
53209based on metals, e.g. alloys, metal silicides
53228the principal metal being copper
53238Additional layers associated with copper layers, e.g. adhesion, barrier, cladding layers
H01L 27/1225
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
1222with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
1225with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
H01L 27/124
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
124with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
H01L 27/1255
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
1255integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
H01L 29/41733
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
40Electrodes ; ; Multistep manufacturing processes therefor
41characterised by their shape, relative sizes or dispositions
417carrying the current to be rectified, amplified or switched
41725Source or drain electrodes for field effect devices
41733for thin film transistors with insulated gate
出願人
  • シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP]/[JP]
発明者
  • 鈴木 正彦 SUZUKI Masahiko
  • 菊池 哲郎 KIKUCHI Tetsuo
  • 今井 元 IMAI Hajime
  • 越智 久雄 OCHI Hisao
  • 北川 英樹 KITAGAWA Hideki
  • 西宮 節治 NISHIMIYA Setsuji
  • 伊藤 俊克 ITOH Toshikatsu
  • 上田 輝幸 UEDA Teruyuki
  • 郡司 遼佑 GUNJI Ryosuke
  • 原 健吾 HARA Kengo
  • 大東 徹 DAITOH Tohru
代理人
  • 奥田 誠司 OKUDA Seiji
優先権情報
2016-05085915.03.2016JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) ACTIVE MATRIX SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT À MATRICE ACTIVE
(JA) アクティブマトリクス基板
要約
(EN)
This active matrix substrate is provided with: a substrate; a TFT-containing layer that is supported on the substrate, and contains a TFT gate electrode, a gate-insulating layer, a semiconductor layer, and source and drain electrodes; a metal wiring layer supported on the substrate and having a thickness of 400nm or more; and an inorganic insulative layer which is thinner than is the metal wiring layer, and is positioned so as to contact the undersurface of the metal wiring layer on the substrate side thereof. Furthermore, the metal wiring layer exhibits tensile stress, the inorganic insulative layer exhibits compressive stress, and the ratio Sb/Sa of the absolute value Sb of the stress of the inorganic insulative layer to the absolute value Sa of the stress of the metal wiring layer is 0.6-1.7, inclusive.
(FR)
Selon l'invention, un substrat à matrice active comprend : un substrat ; une couche contenant un TFT qui est supportée sur le substrat, et contient une électrode de grille de TFT, une couche d'isolation de grille, une couche de semi-conducteur, et des électrodes de source et de drain ; une couche de câblage métallique supportée sur le substrat et ayant une épaisseur supérieure ou égale à 400 nm ; et une couche isolante inorganique qui est plus mince que la couche de câblage métallique, et est positionnée de façon à entrer en contact avec la surface inférieure de la couche de câblage métallique sur le côté du substrat de celle-ci. De plus, la couche de câblage métallique présente des contraintes de traction, la couche isolante inorganique présente des contraintes de compression, et le rapport Sb/Sa entre la valeur absolue Sb de la contrainte de la couche isolante inorganique et la valeur absolue Sa de la contrainte de la couche de câblage métallique est entre 0,6 et 1,7 inclus.
(JA)
アクティブマトリクス基板は、基板と、基板に支持され、TFTのゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層およびソースおよびドレイン電極を含むTFT含有層と、基板に支持された、厚さが400nm以上の金属配線層と、金属配線層の基板側に金属配線層の下面と接するように配置され、かつ、金属配線層よりも薄い無機絶縁層とを備え、金属配線層は引っ張り応力を有し、無機絶縁層は圧縮応力を有しており、金属配線層の応力値の絶対値Saに対する無機絶縁層の応力値の絶対値Sbの比Sb/Saは0.6以上1.7以下である。
他の公開
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