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1. WO2017158744 - 欠陥検査方法及び欠陥検査装置

公開番号 WO/2017/158744
公開日 21.09.2017
国際出願番号 PCT/JP2016/058230
国際出願日 16.03.2016
IPC
G01N 23/203 2006.01
G物理学
01測定;試験
N材料の化学的または物理的性質の決定による材料の調査または分析
23グループG01N3/00~G01N17/00,G01N21/00またはG01N22/00に包含されない波動性または粒子性放射線,例.X線,中性子線,の使用による材料の調査または分析
20材料による放射線の回折の利用によるもの,例.結晶構造の調査のためのもの;材料による放射線の散乱の利用によるもの,例.非結晶構造の調査のためのもの;材料による放射線の反射の利用によるもの
203後方散乱の測定
CPC
G01N 21/94
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using infra-red, visible or ultra-violet light
84Systems specially adapted for particular applications
88Investigating the presence of flaws or contamination
94Investigating contamination, e.g. dust
G01N 23/203
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
23Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
20by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
203Measuring back scattering
G01N 23/2251
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
23Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
22by measuring secondary emission from the material
225using electron or ion
2251using incident electron beams, e.g. scanning electron microscopy [SEM]
H01J 2237/2813
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2237Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
26Electron or ion microscopes
28Scanning microscopes
2813characterised by the application
H01J 37/28
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
26Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
28with scanning beams
出願人
  • 株式会社 日立ハイテクノロジーズ HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 長谷川 正樹 HASEGAWA Masaki
  • 小貫 勝則 ONUKI Katsunori
  • 兼岡 則幸 KANEOKA Noriyuki
  • 村越 久弥 MURAKOSHI Hisaya
  • 尾方 智彦 OGATA Tomohiko
代理人
  • 戸田 裕二 TODA Yuji
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) DEFECT INSPECTION METHOD AND DEFECT INSPECTION DEVICE
(FR) PROCÉDÉ D'INSPECTION DE DÉFAUT ET DISPOSITIF D'INSPECTION DE DÉFAUT
(JA) 欠陥検査方法及び欠陥検査装置
要約
(EN)
The purpose of the present invention is to provide a defect inspection device that can evaluate a defect having a long latent flaw with high precision. A defect inspection device of the present invention is characterized by being provided with: a sample support member (109) that supports a sample (104) irradiated by an electron beam (100a) emitted from an electron source (101); an imaging element (116) at which an image of electrons (mirror electrons (100c)) reflected without reaching the sample is formed via a retarding electric field formed on the sample; an ultraviolet light source (115) that emits an ultraviolet light toward the sample; a movement stage (108) that moves the sample support member; and a control device (107) that controls the movement stage. The defect inspection device is further characterized in that the control device controls the movement stage (108) such that a portion of a linear part included in an image of the sample (104) (or a location on an extensional line of the linear part) is positioned at a specific location in an irradiated region of the electron beam (100a), and repeats the control of the movement stage (108) until an end of the linear part is positioned within the irradiated region of the electron beam (100a).
(FR)
Le but de la présente invention est de fournir un dispositif d'inspection de défaut pouvant évaluer un défaut ayant une longue faille latente avec une grande précision. Un dispositif d'inspection de défaut de la présente invention est caractérisé en ce qu'il comprend : un élément de support d'échantillon (109) qui porte un échantillon (104) exposé à un faisceau d'électrons (100a) émis par une source d'électrons (101) ; un élément d'imagerie (116) sur lequel une image d'électrons (électrons miroirs (100c)) réfléchie sans atteindre l'échantillon est formée par l'intermédiaire d'un champ électrique retardateur formé sur l'échantillon ; une source de lumière ultraviolette (115) qui émet une lumière ultraviolette vers l'échantillon ; une platine de déplacement (108) qui déplace l'élément de support d'échantillon ; et un dispositif de commande (107) qui commande la platine de déplacement. Le dispositif d'inspection de défaut est en outre caractérisé en ce que le dispositif de commande commande la platine de déplacement (108) de telle sorte qu'une portion d'une partie linéaire incluse dans une image de l'échantillon (104) (ou un emplacement sur une ligne d'extension de la partie linéaire) est positionnée à un emplacement spécifique dans une région exposée au faisceau d'électrons (100a), et répète la commande de la platine de déplacement (108) jusqu'à ce qu'une extrémité de la partie linéaire est positionnée à l'intérieur de la région exposée au faisceau d'électrons (100a).
(JA)
本発明は、潜傷の長い欠陥を高精度に評価することができる欠陥検査装置の提供を目的とする。本発明の欠陥検査装置は、電子源(101)から放出された電子ビーム(100a)が照射される試料(104)を支持する試料支持部材(109)と、試料上に形成された減速電界によって、試料に到達することなく反射した電子(ミラー電子(100c))が結像される撮像素子(116)と、前記試料に向かって紫外光を照射する紫外光源(115)と、前記試料支持部材を移動させる移動ステージ(108)と、当該移動ステージを制御する制御装置(107)を備え、当該制御装置は、試料(104)の画像に含まれる線状部の一部(或いは当該線状部の延長線上の線上部位)を、前記電子ビーム(100a)の照射領域の特定の部位に位置付けるように、前記移動ステージ(108)を制御すると共に、前記線状部の端部が前記電子ビーム(100a)の照射領域内に位置付けられるまで、前記移動ステージ(108)の制御を繰り返すことを特徴とする。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報