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1. WO2017149874 - 磁気抵抗素子及び電子デバイス

公開番号 WO/2017/149874
公開日 08.09.2017
国際出願番号 PCT/JP2016/085795
国際出願日 01.12.2016
IPC
H01L 43/10 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
10材料の選択
G01R 33/09 2006.01
G物理学
01測定;試験
R電気的変量の測定;磁気的変量の測定
33磁気的変量を測定する計器または装置
02磁界または磁束の方向または大きさの測定
06電流磁気装置を使用するもの
09磁気抵抗装置を使用するもの
G11B 5/39 2006.01
G物理学
11情報記憶
B記録担体と変換器との間の相対運動に基づいた情報記録
5記録担体の磁化または減磁による記録;磁気的手段による再生;そのための記録担体
127ヘッド,例.誘導型,の構造または製造
33磁束感知ヘッドの構造または製造
39磁気抵抗装置を用いるもの
H01F 10/32 2006.01
H電気
01基本的電気素子
F磁石;インダクタンス;変成器;それらの磁気特性による材料の選択
10磁性薄膜,例.1磁区構造のもの
32スピン変換連結の多層,例,極小構造の超格子
H01L 21/8246 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232電界効果技術
8234MIS技術
8239メモリ構造
8246リードオンリーメモリ構造(ROM)
H01L 27/105 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
10複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105電界効果構成部品を含むもの
CPC
G01R 33/093
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
33Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
02Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
06using galvano-magnetic devices, e.g. Hall effect devices; using magneto-resistive devices
09Magnetoresistive devices
093using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
G01R 33/098
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
33Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
02Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
06using galvano-magnetic devices, e.g. Hall effect devices; using magneto-resistive devices
09Magnetoresistive devices
098comprising tunnel junctions, e.g. tunnel magnetoresistance sensors
G11C 11/161
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
161details concerning the memory cell structure, e.g. the layers of the ferromagnetic memory cell
G11C 11/1659
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
165Auxiliary circuits
1659Cell access
G11C 11/1675
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
165Auxiliary circuits
1675Writing or programming circuits or methods
H01F 10/3272
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
10Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
32Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
324Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
3268the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn
3272by use of anti-parallel coupled [APC] ferromagnetic layers, e.g. artificial ferrimagnets [AFI], artificial [AAF] or synthetic [SAF] anti-ferromagnets
出願人
  • ソニー株式会社 SONY CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 内田 裕行 UCHIDA Hiroyuki
  • 細見 政功 HOSOMI Masanori
  • 大森 広之 OHMORI Hiroyuki
  • 別所 和宏 BESSHO Kazuhiro
  • 肥後 豊 HIGO Yutaka
代理人
  • 山本 孝久 YAMAMOTO Takahisa
  • 吉井 正明 YOSHII Masaaki
優先権情報
2016-03877801.03.2016JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) ÉLÉMENT MAGNÉTORÉSISTIF ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 磁気抵抗素子及び電子デバイス
要約
(EN)
A magnetoresistive element 10 is provided with: a first laminated structure 20 having a first surface 20A, and a second surface 20B on the reverse side of the first surface 20A; and a second laminated structure 30, which is formed by laminating a storage layer 33, an intermediate layer 32, and a magnetization fixed layer 31, and which has a first surface 30A, and a second surface 30B on the reverse side of the first surface 30A, said first surface 30A being positioned facing the second surface 20B of the first laminated structure 20. The first laminated structure 20 has a laminated structure configured by having, from the first surface 20A side of the first laminated structure 20, a first layer 21 formed of a metal nitride, and a second layer 22 formed of ruthenium or a ruthenium compound.
(FR)
Un élément magnétorésistif 10 comporte : une première structure stratifiée 20 ayant une première surface 20A, et une seconde surface 20B sur le côté opposé à la première surface 20A ; et une seconde structure stratifiée 30, qui est formée par stratification d'une couche de stockage 33, d'une couche intermédiaire 32, et d'une couche d'aimantation fixe 31 et qui possède une première surface 30A, et une seconde surface 30B sur le côté opposé à la première surface 30A, ladite première surface 30A étant positionnée face à la seconde surface 20B de la première structure stratifiée 20. La première structure stratifiée 20 possède une structure stratifiée configurée en ayant, à partir du côté première surface 20A de la première structure stratifiée 20, une première couche 21 constituée d'un nitrure métallique, et une seconde couche 22 constituée de ruthénium ou d'un composé de ruthénium.
(JA)
磁気抵抗素子10は、第1面20A、及び、第1面20Aと対向した第2面20Bを有する第1積層構造体20、並びに、記憶層33、中間層32及び磁化固定層31が積層されて成り、第1面30A、及び、第1面30Aと対向した第2面30Bを有し、第1面30Aが第1積層構造体20の第2面20Bと対向して位置する第2積層構造体30を備えており、第1積層構造体20は、第1積層構造体20の第1面20A側から、金属窒化物から成る第1層21、及び、ルテニウム又はルテニウム化合物から成る第2層22の積層構造を有する。
他の公開
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