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1. WO2017149689 - 欠陥検査装置、パターンチップ及び欠陥検査方法

公開番号 WO/2017/149689
公開日 08.09.2017
国際出願番号 PCT/JP2016/056330
国際出願日 02.03.2016
予備審査請求日 01.07.2016
IPC
G01N 21/956 2006.01
G物理学
01測定;試験
N材料の化学的または物理的性質の決定による材料の調査または分析
21光学的手段,すなわち,赤外線,可視光線または紫外線を使用することによる材料の調査または分析
84特殊な応用に特に適合したシステム
88きず,欠陥,または汚れの存在の調査
95調査対象物の材質や形に特徴付けられるもの
956物体表面のパターンの検査
H01L 21/66 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
66製造または処理中の試験または測定
CPC
G01N 2021/1765
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using infra-red, visible or ultra-violet light
17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
1765Method using an image detector and processing of image signal
G01N 2021/8825
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using infra-red, visible or ultra-violet light
84Systems specially adapted for particular applications
88Investigating the presence of flaws or contamination
8806Specially adapted optical and illumination features
8822Dark field detection
8825Separate detection of dark field and bright field
G01N 21/47
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using infra-red, visible or ultra-violet light
17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
47Scattering, i.e. diffuse reflection
G01N 21/8806
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using infra-red, visible or ultra-violet light
84Systems specially adapted for particular applications
88Investigating the presence of flaws or contamination
8806Specially adapted optical and illumination features
G01N 21/956
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using infra-red, visible or ultra-violet light
84Systems specially adapted for particular applications
88Investigating the presence of flaws or contamination
95characterised by the material or shape of the object to be examined
956Inspecting patterns on the surface of objects
G01N 21/95607
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using infra-red, visible or ultra-violet light
84Systems specially adapted for particular applications
88Investigating the presence of flaws or contamination
95characterised by the material or shape of the object to be examined
956Inspecting patterns on the surface of objects
95607using a comparative method
出願人
  • 株式会社日立ハイテクノロジーズ HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 浦野 雄太 URANO Yuta
  • 芝田 行広 SHIBATA Yukihiro
  • 本田 敏文 HONDA Toshifumi
  • 吉武 康裕 YOSHITAKE Yasuhiro
  • 福島 英喜 FUKUSHIMA Hideki
代理人
  • 平木 祐輔 HIRAKI Yusuke
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) DEFECT INSPECTION DEVICE, PATTERN CHIP, AND DEFECT INSPECTION METHOD
(FR) DISPOSITIF D'INSPECTION DE DÉFAUT, PUCE À MOTIFS, ET PROCÉDÉ D'INSPECTION DE DÉFAUT
(JA) 欠陥検査装置、パターンチップ及び欠陥検査方法
要約
(EN)
A defect inspection device that adjusts the focus of a detection optical system and detects a defect on the surface of a sample to be inspected by irradiating illumination light having a shape extending in a first direction onto the surface of the sample or the surface of a pattern chip and detecting illumination light that is scattered by the surface of the sample or the surface of the pattern chip, the defect inspection device being characterized in that: the pattern chip has a dot pattern area in which a plurality of dots are arrayed in a plurality of rows and a plurality of columns; of the plurality of dots arrayed in the dot pattern area, the dots corresponding to each row in the first direction have a minimum interval in a second direction orthogonal to the first direction that is narrower than the width of the illumination light; and the minimum interval of the plurality of dots arrayed in the dot pattern area is larger than the resolution of the detection optical system.
(FR)
L'invention concerne un dispositif d'inspection de défaut qui règle la mise au point d'un système optique de détection et détecte un défaut sur la surface d'un échantillon à inspecter en éclairant avec une lumière d'éclairage ayant une forme s'étendant dans une première direction sur la surface de l'échantillon ou la surface d'une puce à motifs et en détectant la lumière d'éclairage qui est diffusée par la surface de l'échantillon ou la surface de la puce à motifs, le dispositif d'inspection de défauts étant caractérisé en ce que : la puce à motifs a une zone de motif de points dans laquelle une pluralité de points sont agencés en réseau selon une pluralité de rangées et une pluralité de colonnes ; parmi la pluralité de points agencés en réseau dans la zone de motif de points, les points correspondant à chaque rangée dans la première direction ont un intervalle minimal dans une seconde direction orthogonale à la première direction qui est plus étroit que la largeur de la lumière d'éclairage ; et l'intervalle minimal de la pluralité de points agencés en réseau dans la zone de motif de points est plus large que la résolution du système optique de détection.
(JA)
検査対象の試料の表面又はパターンチップの表面に対し、第1の方向に延伸する形状の照明光を照射し、前記照明光により前記試料の表面又は前記パターンチップの表面から発生する散乱光を検出することにより、検出光学系のフォーカスの調整及び前記試料の表面の欠陥を検出する欠陥検査装置において、前記パターンチップは、複数のドットを複数行複数列に亘って配列したドットパターン領域を有し、前記ドットパターン領域に配列される複数の前記ドットのうち、前記第1の方向に並ぶ各行に対応する前記ドットの、前記第1の方向と直交する第2の方向への最小の間隔が、前記照明光の幅よりも狭く、前記ドットパターン領域に配列される複数の前記ドットの最小の間隔が、前記検出光学系の分解能よりも大きい、ことを特徴とする。
他の公開
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