このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2017148608) METHOD FOR CHARACTERIZING SEMICONDUCTOR MATERIALS
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2017/148608 国際出願番号: PCT/EP2017/050945
国際公開日: 08.09.2017 国際出願日: 18.01.2017
予備審査請求日: 21.12.2017
IPC:
C30B 25/16 (2006.01) ,C30B 29/40 (2006.01) ,C30B 29/46 (2006.01) ,H01L 21/00 (2006.01)
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
25
反応ガスの化学反応による単結晶成長,例.化学蒸着(CVD)による成長
02
エピタキシャル層成長
16
制御または調整(制御または調整一般G05)
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10
無機化合物または組成物
40
AIIIBV化合物
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10
無機化合物または組成物
46
硫黄,セレンまたはテルルを含む化合物
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
出願人:
NASP III/V GMBH [DE/DE]; Am Knechtacker 19 35041 Marburg, DE
発明者:
VOLK, Michael; DE
代理人:
RICHARDT PATENTANWÄLTE PARTG MBB; Wilhelmstraße 7 65185 Wiesbaden, DE
優先権情報:
10 2016 203 298.401.03.2016DE
発明の名称: (EN) METHOD FOR CHARACTERIZING SEMICONDUCTOR MATERIALS
(FR) PROCÉDÉ DE CARACTÉRISATION DE MATÉRIAUX SEMICONDUCTEURS
(DE) VERFAHREN ZUR CHARAKTERISIERUNG VON HALBLEITERMATERIALIEN
要約:
(EN) The invention relates to a method for characterizing semiconductor materials during the growing of a desired mixed crystal (101) of a compound semiconductor on a substrate (100) with a predefined growth rate, the method including the determining of the material composition of the desired mixed crystal (101) by measuring the change in the curvature of the substrate over time during growing, wherein the proportion of the components in the desired mixed crystal (101) is determined from the change in curvature over time.
(FR) L'invention concerne un procédé de caractérisation de matériaux semiconducteurs durant la croissance d'un cristal mixte (101) souhaité d'un semiconducteur composé sur un substrat (100) avec un taux de croissance prédéfini, ledit procédé comprenant une détermination de la composition du cristal mixte (101) souhaité par la mesure de la variation dans le temps de la courbure du substrat durant la croissance, la proportion des constituants dans le cristal mixte (101) souhaité étant déterminée à partir de la variation dans le temps de ladite courbure.
(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Charakterisierung von Halbleitermaterialien während dem Aufwachsen eines gewünschten Mischkristalls (101) eines Verbindungshalbleiters auf ein Substrat (100) mit einer vorgegebenen Wachstumsrate, wobei das Verfahren eine Bestimmung der Materialzusammensetzung des gewünschten Mischkristalls (101) durch Messen der zeitlichen Änderung der Krümmung des Substrats während dem Aufwachsen umfasst, wobei aus der zeitlichen Änderung der Krümmung der Anteil der Komponenten im gewünschten Mischkristall (101) bestimmt wird.
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: ドイツ語 (DE)
国際出願言語: ドイツ語 (DE)