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1. (WO2017091189) ELECTRICAL CONTACTS FOR MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICES
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2017/091189 国際出願番号: PCT/US2015/062078
国際公開日: 01.06.2017 国際出願日: 23.11.2015
IPC:
H01L 43/02 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01) ,H01L 43/10 (2006.01) ,H01L 43/12 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43
電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
細部
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43
電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
08
磁界制御抵抗
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43
電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
10
材料の選択
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43
電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
12
これらの装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
出願人:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054-1549, US
WIEGAND, Christopher J. [US/US]; US (US)
GOLONZKA, Oleg [US/US]; US (US)
OGUZ, Kaan [TR/US]; US (US)
O'BRIEN, Kevin P. [US/US]; US (US)
RAHMAN, Tofizur [BD/US]; US (US)
DOYLE, Brian S. [IE/US]; US (US)
GHANI, Tahir [US/US]; US (US)
DOCZY, Mark L. [US/US]; US (US)
発明者:
WIEGAND, Christopher J.; US
GOLONZKA, Oleg; US
OGUZ, Kaan; US
O'BRIEN, Kevin P.; US
RAHMAN, Tofizur; US
DOYLE, Brian S.; US
GHANI, Tahir; US
DOCZY, Mark L.; US
代理人:
ZAGER, Laura; US
優先権情報:
発明の名称: (EN) ELECTRICAL CONTACTS FOR MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICES
(FR) CONTACTS ÉLECTRIQUES POUR DISPOSITIFS DE MÉMOIRE VIVE MAGNÉTIQUE
要約:
(EN) Disclosed herein are electrical contacts for magnetoresistive random access memory (MRAM) devices and related memory structures, devices, and methods. For example, and electrical contact for an MRAM device may include: a tantalum region; a barrier region formed of a first material; and a passivation region formed of a second material and disposed between the tantalum region and the barrier region, wherein the second material includes tantalum nitride and is different from the first material.
(FR) L'invention concerne des contacts électriques pour dispositifs de mémoire vive magnétique (MRAM), et des structures de mémoire, des dispositifs et des procédés associés. Par exemple, un contact électrique pour dispositif MRAM peut comprendre : une zone en tantale ; une zone barrière formée d'un premier matériau ; et une zone de passivation formée d'un deuxième matériau et disposée entre la zone en tantale et la zone barrière, le deuxième matériau comprenant du nitrure de tantale et étant différent du premier matériau.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 英語 (EN)
国際出願言語: 英語 (EN)
Also published as:
CN108140724EP3381064US20190027536