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1. (WO2017090505) 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2017/090505 国際出願番号: PCT/JP2016/084104
国際公開日: 01.06.2017 国際出願日: 17.11.2016
IPC:
H01L 21/306 (2006.01) ,H01L 21/304 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人:
東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 東京都港区赤坂五丁目3番1号 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325, JP
発明者:
小佐井 一樹 KOSAI Kazuki; JP
甲斐 義広 KAI Yoshihiro; JP
五師 源太郎 GOSHI Gentaro; JP
小宮 洋司 KOMIYA Hiroshi; JP
藤本 誠也 FUJIMOTO Seiya; JP
大塚 貴久 OTSUKA Takahisa; JP
代理人:
永井 浩之 NAGAI Hiroshi; JP
中村 行孝 NAKAMURA Yukitaka; JP
佐藤 泰和 SATO Yasukazu; JP
朝倉 悟 ASAKURA Satoru; JP
森 秀行 MORI Hideyuki; JP
優先権情報:
2015-22883324.11.2015JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE LIQUID TREATMENT DEVICE, SUBSTRATE LIQUID TREATMENT METHOD, AND MEMORY MEDIUM
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT LIQUIDE DE SUBSTRAT, PROCÉDÉ DE TRAITEMENT LIQUIDE DE SUBSTRAT ET SUPPORT MÉMOIRE
(JA) 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体
要約:
(EN) A substrate treatment device, provided with a substrate holding part (31) for holding a substrate (W); an outer nozzle (45) for discharging a treatment liquid toward the surface of the substrate from a position further on the outside than the outer peripheral edge of the substrate held by the substrate holding part, so that at least the center part of the surface of the substrate is covered by a liquid coat of the discharged treatment liquid; and an actuator (46, 90) capable of changing the height position or the elevation angle of the outer nozzle.
(FR) L'invention concerne un dispositif de traitement de substrat comportant une partie de maintien de substrat (31) destinée à maintenir un substrat (W) ; une buse externe (45) permettant d'expulser un liquide de traitement vers la surface du substrat depuis une position située plus à l'extérieur que le bord périphérique externe du substrat maintenu par la partie de maintien de substrat, de manière à ce qu'au moins la partie centrale de la surface du substrat soit recouverte d'une couche liquide du liquide de traitement expulsé ; et un actionneur (46, 90) permettant de modifier la position en hauteur ou l'angle d'élévation de la buse extérieure.
(JA) 基板処理装置は、基板(W)を保持する基板保持部(31)と、基板保持部により保持された基板の外周縁よりも外側の位置から、基板の表面の少なくとも中心部が吐出された処理液の液膜により覆われるように、基板の表面に向けて処理液を吐出する外ノズル(45)と、外ノズルの高さ位置または俯仰角を変更することができるアクチュエータ(46,90)とを備える。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
Also published as:
CN108292599KR1020180084797US20180337067