処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2017086170 - ガスバリアーフィルム

公開番号 WO/2017/086170
公開日 26.05.2017
国際出願番号 PCT/JP2016/082653
国際出願日 02.11.2016
IPC
B32B 9/00 2006.1
B処理操作;運輸
32積層体
B積層体,すなわち平らなまたは平らでない形状,例.細胞状またはハニカム状,の層から組立てられた製品
9本質的にグループB32B11/00~B32B29/00に包含されない特殊な物質からなる積層体
B65D 65/40 2006.1
B処理操作;運輸
65運搬;包装;貯蔵;薄板状または線条材料の取扱い
D物品または材料の貯蔵または輸送用の容器,例.袋,樽,びん,箱,缶,カートン,クレート,ドラム缶,広口びん,タンク,ホッパー,運送コンテナ;付属品,閉鎖具,または閉鎖具のための付属品;包装要素;包装体
65被包材または可撓性カバー;特殊な型または形の包装材
38特殊な型または形の包装材
40特定の包装目的のためのラミネート材の応用
C23C 16/42 2006.1
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
42けい化物
H01L 51/50 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
50光放出に特に適用されるもの,例.有機発光ダイオード(OLED)または高分子発光ダイオード(PLED)
H05B 33/04 2006.1
H電気
05他に分類されない電気技術
B電気加熱;他に分類されない電気照明
33エレクトロルミネッセンス光源
02細部
04封止装置
CPC
B32B 9/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
32LAYERED PRODUCTS
BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
9Layered products comprising a ; layer of a; particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
B65D 65/40
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
65CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
DCONTAINERS FOR STORAGE OR TRANSPORT OF ARTICLES OR MATERIALS, e.g. BAGS, BARRELS, BOTTLES, BOXES, CANS, CARTONS, CRATES, DRUMS, JARS, TANKS, HOPPERS, FORWARDING CONTAINERS; ACCESSORIES, CLOSURES, OR FITTINGS THEREFOR; PACKAGING ELEMENTS; PACKAGES
65Wrappers or flexible covers; Packaging materials of special type or form
38Packaging materials of special type or form
40Applications of laminates for particular packaging purposes
C23C 16/42
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
22characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
42Silicides
H01L 51/50
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
50specially adapted for light emission, e.g. organic light emitting diodes [OLED] or polymer light emitting devices [PLED]
H05B 33/04
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Electroluminescent light sources
02Details
04Sealing arrangements ; , e.g. against humidity
出願人
  • コニカミノルタ株式会社 KONICA MINOLTA, INC. [JP]/[JP]
発明者
  • 河村 朋紀 KAWAMURA, Tomonori
代理人
  • 特許業務法人光陽国際特許事務所 KOYO INTERNATIONAL PATENT FIRM
優先権情報
2015-22526618.11.2015JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) GAS BARRIER FILM
(FR) FILM BARRIÈRE AUX GAZ
(JA) ガスバリアーフィルム
要約
(EN) The present invention addresses the problem of providing a gas barrier film having excellent gas barrier properties, little deterioration in the gas barrier properties as caused by front and back surface contact during roll winding, and a low incidence of cracking during cutting. The gas barrier film is characterized in that, when a figure of 100% is used as the total amount of the composition ratios converted from the ratios of peak intensity derived from silicon atoms, oxygen atoms, and carbon atoms in the layer thickness direction of a gas barrier layer in spectra obtained using X-ray photoelectron spectroscopy, the maximum value (%) of the proportion X in the region where the layer thickness is 5 to 30% is 5 to 41 (%), where X is the proportion of the composition ratio converted from the ratio of peak intensity derived from C−C, C=C and C−H bonds based on waveform analysis of C1s for carbon atoms, 0% is the thickness of the layer at the outermost surface of the gas barrier layer, and 100% is the thickness of the layer at the interface with the substrate.
(FR) La présente invention aborde le problème de la réalisation d'un film barrière aux gaz qui possède d'excellentes propriétés de barrière aux gaz, peu de détérioration des propriétés de barrière aux gaz provoquées par contact des surfaces avant et arrière pendant un enroulement en rouleau, et une faible incidence de craquelage pendant la coupe. Le film barrière aux gaz est caractérisé en ce que, lorsqu'une valeur de 100 % est utilisée comme quantité totale des rapports de composition convertis à partir des rapports d'intensité de crête dérivés des atomes de silicium, des atomes d'oxygène et des atomes de carbone dans le sens de l'épaisseur d'une couche de barrière aux gaz dans des spectres obtenus en utilisant la spectroscopie photoélectronique à rayons X, la valeur maximale (%) de la proportion X dans la région où l'épaisseur de couche est de 5 à 30 % étant de 5 à 41 (%), X désignant la proportion du rapport de composition converti à partir du rapport d'intensité de crête dérivé de C−C, C=C et C−liaisons H basée sur l'analyse de la forme d'onde de C1s pour les atomes de carbone, 0 % étant l'épaisseur de la couche au niveau de la surface la plus à l'extérieure de la couche barrière aux gaz, et 100 % étant l'épaisseur de la couche au niveau de la jonction avec le substrat.
(JA) 本発明の課題は、ガスバリアー性が良好であり、ロール巻き取り時の表裏面接触によるガスバリアー性の低下が少なく、かつ断裁時のクラックの発生が抑制されたガスバリアーフィルムを提供することである。当該ガスバリアーフィルムは、X線光電子分光法よって得られたスペクトルにおいて、ガスバリアー層の層厚方向のケイ素原子、酸素原子及び炭素原子に由来するピーク強度の比率より換算される組成比の合計量を100%としたとき、炭素原子に関するC1sの波形解析に基づく、C-C、C=C及びC-Hの結合に由来するピーク強度の比率より換算される組成比の割合X(%)が、前記ガスバリアー層の最表面の層厚を0%、前記基材との界面の層厚を100%としたとき、層厚5~30%領域における前記割合Xの最大値(%)が、5~41(%)の範囲内であることを特徴とする。
関連特許文献
国際事務局に記録されている最新の書誌情報