処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2017081840 - 固体撮像装置及び固体撮像機器

公開番号 WO/2017/081840
公開日 18.05.2017
国際出願番号 PCT/JP2016/004586
国際出願日 14.10.2016
IPC
H01L 27/14 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
H01L 21/52 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50サブグループH01L21/06~H01L21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
52容器中への半導体本体のマウント
H01L 23/00 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
H01L 31/02 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
02細部
H04N 5/357 2011.1
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
5テレビジョン方式の細部
30光または類似信号から電気信号への変換
335固体撮像素子を用いるもの
357ノイズ処理に特徴のあるもの,例.ノイズの検出,補正,低減,除去
H04N 5/369 2011.1
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
5テレビジョン方式の細部
30光または類似信号から電気信号への変換
335固体撮像素子を用いるもの
369固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
CPC
H01L 21/52
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, ; e.g. sealing of a cap to a base of a container
52Mounting semiconductor bodies in containers
H01L 2224/32225
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
32of an individual layer connector
321Disposition
32151the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
32221the body and the item being stacked
32225the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
H01L 23/00
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
H01L 27/14618
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
14618Containers
H01L 27/14623
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
1462Coatings
14623Optical shielding
H01L 27/14636
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
14636Interconnect structures
出願人
  • ソニー株式会社 SONY CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 塚田 敦士 TSUKADA, Atsushi
  • 岸田 栄一郎 KISHIDA, Eiichirou
  • 中津留 大輔 NAKATSURU, Daisuke
  • 加治 博幸 KAJI, Hiroyuki
代理人
  • 大森 純一 OMORI, Junichi
優先権情報
2015-22216512.11.2015JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND SOLID-STATE IMAGING APPARATUS
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET APPAREIL D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 固体撮像装置及び固体撮像機器
要約
(EN) [Problem] To provide a solid-state imaging device wherein deterioration of the characteristics of a solid-state imaging element due to the influence of a magnetic field line from a wiring line that is provided within a package is suppressed; and a solid-state imaging apparatus which comprises this solid-state imaging device. [Solution] A solid-state imaging device according to the present technique is provided with: a package; a sealing glass; a solid-state imaging element; and a shield. The package internally comprises a wiring line, and is provided with a recess. The sealing glass is bonded to the package and closes the recess. The solid-state imaging element is contained within a space that is formed by the recess and the sealing glass. The shield is contained within the space so as to be arranged on the package. The shield prevents a magnetic field line generated by the wiring line from reaching the solid-state imaging element.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de fournir un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs permettant de supprimer la détérioration des caractéristiques d'un élément d'imagerie à semi-conducteurs en raison de l'influence d'une ligne de force de champ magnétique depuis une ligne de câblage qui est disposée à l'intérieur d'un boîtier ; et un appareil d'imagerie à semi-conducteurs qui comprend ce dispositif d'imagerie à semi-conducteurs. La solution selon l’invention porte sur un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs qui comporte : un boîtier ; un verre de scellement ; un élément d'imagerie à semi-conducteurs ; et un blindage. Le boîtier comprend en son sein une ligne de câblage, et est pourvu d'un évidement. Le verre de scellement est lié au boîtier et ferme l'évidement. L'élément d'imagerie à semi-conducteurs est contenu à l'intérieur d'un espace formé par l'évidement et le verre de scellement. Le blindage est contenu à l'intérieur de l'espace de manière à être disposé sur le boîtier. Le blindage empêche une ligne de force de champ magnétique générée par la ligne de câblage d'atteindre l'élément d'imagerie à semi-conducteurs.
(JA) 【課題】パッケージ内に設けられた配線からの磁力線の影響による固体撮像素子の特性劣化が防止された固体撮像装置及びこれを有する固体撮像機器を提供すること。 【解決手段】本技術に係る固体撮像装置は、パッケージと、シールガラスと、固体撮像素子と、シールドとを備える。パッケージは、内部に配線を備え、凹部が設けられる。シールガラスは、パッケージに接合され、凹部を閉塞する。固体撮像素子は、凹部とシールガラスにより形成された空間に収容される。シールドは、空間に収容され、パッケージに配置される。シールドは、配線において生じる磁力線の固体撮像素子への到達を防止する。
関連特許文献
国際事務局に記録されている最新の書誌情報