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1. WO2017081796 - 半導体装置

公開番号 WO/2017/081796
公開日 18.05.2017
国際出願番号 PCT/JP2015/081882
国際出願日 12.11.2015
IPC
G02B 6/122 2006.1
G物理学
02光学
B光学要素,光学系,または光学装置
6ライトガイド;ライトガイドおよびその他の光素子,例.カップリング,からなる装置の構造的細部
10光導波路型のもの
12集積回路型のもの
122基本的光学要素,例.ライトガイドパス
H01S 5/32 2006.1
H電気
01基本的電気素子
S光を増幅または生成するために,放射の誘導放出による光増幅を用いた装置;光領域以外の電磁放射の誘導放出を用いた装置
5半導体レーザ
30活性領域の構造または形状;活性領域に用いられる材料
32PN接合からなるもの,例.ヘテロまたはダブルヘテロ構造
CPC
G02B 6/122
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
6Light guides
10of the optical waveguide type
12of the integrated circuit kind
122Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
H01S 5/32
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
30Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
32comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
出願人
  • 株式会社日立製作所 HITACHI, LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 奥村 忠嗣 OKUMURA, Tadashi
  • 小田 克矢 ODA, Katsuya
  • 葛西 淳一 KASAI, Junichi
代理人
  • 特許業務法人筒井国際特許事務所 TSUTSUI & ASSOCIATES
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約
(EN) To improve the performance of a semiconductor device including an optical waveguide. In order to achieve the purpose, a semiconductor device of the present invention is provided with: an optical waveguide layer formed of a semiconductor layer having a front surface and a rear surface; a first stress film that applies a tensile strain to the front surface side of the optical waveguide layer; and a second stress film that applies a tensile strain to the rear surface side of the optical waveguide layer.
(FR) La présente invention vise à améliorer la performance d'un dispositif semi-conducteur comprenant un guide d'onde optique. À cet effet, l'invention concerne un dispositif semi-conducteur qui comprend : une couche de guide d'onde optique formée d'une couche semi-conductrice ayant une surface avant et une surface arrière ; un premier film de contrainte qui applique une contrainte de traction sur le côté de surface avant de la couche de guide d'onde optique ; et un second film de contrainte qui applique une contrainte de traction sur le côté de surface arrière de la couche de guide d'onde optique.
(JA) 光導波路を含む半導体装置の性能向上を図る。この目的を実現するため、半導体装置は、表面と裏面とを有する半導体層からなる光導波路層と、光導波路層の表面側に伸張歪みを与える第1応力膜と、光導波路層の裏面側に伸張歪みを与える第2応力膜とを備える。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報