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1. WO2017078042 - 保護膜形成用シート

公開番号 WO/2017/078042
公開日 11.05.2017
国際出願番号 PCT/JP2016/082518
国際出願日 02.11.2016
IPC
H01L 23/12 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
12マウント,例.分離できない絶縁基板
CPC
H01L 23/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
H01L 23/293
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, ; e.g. for protection
29characterised by the material ; , e.g. carbon
293Organic, e.g. plastic
H01L 23/3128
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, ; e.g. for protection
31characterised by the arrangement ; or shape
3107the device being completely enclosed
3121a substrate forming part of the encapsulation
3128the substrate having spherical bumps for external connection
出願人
  • リンテック株式会社 LINTEC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 山岸 正憲 YAMAGISHI Masanori
  • 佐藤 明徳 SATO Akinori
代理人
  • 志賀 正武 SHIGA Masatake
  • 高橋 詔男 TAKAHASHI Norio
  • 五十嵐 光永 IGARASHI Koei
優先権情報
2015-21711504.11.2015JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PROTECTIVE FILM FORMING SHEET
(FR) FEUILLE DE FORMATION DE FILM PROTECTEUR
(JA) 保護膜形成用シート
要約
(EN) A protective film forming sheet (1) is obtained by laminating a thermosetting resin layer (12) on a first support sheet (101). The thermosetting resin layer (12) is for forming a first protective film on the bump-equipped surface of a semiconductor wafer by adhering to said surface and being thermally cured. The difference between the the surface free energy of the first support sheet (101)-side surface of the thermosetting resin layer (12) before thermal curing, and the surface free energy of thermosetting resin layer (12)-side surface of the first support sheet (101) is at least 10 mJ/m2.
(FR) L'invention concerne une feuille de formation (1) de film protecteur obtenue par stratification d'une couche de résine thermodurcissable (12) sur une première feuille support (101). La couche de résine thermodurcissable (12) sert à former un premier film protecteur sur la surface équipée de bossages d'une plaquette semi-conductrice par adhérence à ladite surface et par durcissement thermique. La différence entre la force capillaire de surface côté première feuille support (101) de la couche de résine thermodurcissable (12) avant le durcissement thermique et la force capillaire de surface côté couche de résine thermodurcissable (12) de la première feuille support (101) est supérieure ou égale à 10 mJ/m2.
(JA) この保護膜形成用シート(1)は、第1支持シート(101)上に、熱硬化性樹脂層(12)が積層されてなり、熱硬化性樹脂層(12)は、半導体ウエハのバンプを有する表面に貼付し、熱硬化させることによって、前記表面に第1保護膜を形成するための層であり、熱硬化性樹脂層(12)の第1支持シート(101)側表面の熱硬化前の表面自由エネルギーと、第1支持シート(101)の熱硬化性樹脂層(12)側表面の表面自由エネルギーとの差が、10mJ/m以上である。
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