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1. (WO2017051816) ビア充填基板並びにその製造方法及び前駆体
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2017/051816    国際出願番号:    PCT/JP2016/077805
国際公開日: 30.03.2017 国際出願日: 21.09.2016
IPC:
H05K 3/40 (2006.01), H05K 1/11 (2006.01)
出願人: MITSUBOSHI BELTING LTD. [JP/JP]; 1-21, Hamazoe-dori 4-chome, Nagata-ku, Kobe-shi, Hyogo 6530024 (JP)
発明者: MAMEZAKI Osamu; (JP).
HAYASHI Yoko; (JP)
代理人: EIKOH PATENT FIRM, P.C.; Toranomon East Bldg. 10F, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
優先権情報:
2015-187367 24.09.2015 JP
発明の名称: (EN) VIA FILL SUBSTRATE, PRODUCTION METHOD THEREFOR, AND PRECURSOR THEREFOR
(FR) SUBSTRAT DE REMPLISSAGE DE TROU D'INTERCONNEXION, PROCÉDÉ DE PRODUCTION ASSOCIÉ, ET PRÉCURSEUR ASSOCIÉ
(JA) ビア充填基板並びにその製造方法及び前駆体
要約: front page image
(EN)The present invention relates to a method for producing a via fill substrate, said method including: a metal film formation step in which a metal film is formed, said metal film comprising an active metal on a hole wall surface of an insulating substrate that comprises a hole; a filling step in which a conductor paste having a volume change rate of -10% to 20% before and after firing is used to fill the hole formed in the metal film; and a firing step in which the insulating substrate that has been filled with the conductor paste is fired.
(FR)La présente invention concerne un procédé de production d'un substrat de remplissage de trou d'interconnexion, ledit procédé comprenant : la formation de film métallique dans laquelle un film métallique est formé, ledit film métallique comprenant un métal actif sur une surface de paroi de trou d'un substrat isolant qui comporte un trou ; une étape de remplissage dans laquelle une pâte conductrice ayant un taux de changement de volume de -10 % à 20 % avant et après le recours à la cuisson afin de remplir le trou formé dans le film métallique ; et une étape de cuisson dans laquelle le substrat isolant qui a été rempli au moyen de la pâte conductrice est cuit.
(JA)本発明は、孔部を有する絶縁性基板の孔部壁面に活性金属を含む金属膜を形成する金属膜形成工程、焼成前後の体積変化率が-10~20%である導体ペーストを、金属膜を形成した孔部に充填する充填工程、導体ペーストが充填された絶縁性基板を焼成する焼成工程を含むビア充填基板の製造方法に関する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)