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1. (WO2017051747) 接合基板及びその製造方法とこの接合基板を用いた弾性表面波デバイス
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2017/051747    国際出願番号:    PCT/JP2016/076924
国際公開日: 30.03.2017 国際出願日: 13.09.2016
IPC:
H03H 9/25 (2006.01)
出願人: SHIN-ETSU CHEMICAL CO.,LTD. [JP/JP]; 6-1,Ohtemachi 2-chome,Chiyoda-ku Tokyo 1000004 (JP)
発明者: TANNO Masayuki; (JP).
KATO Koji; (JP).
KUWABARA Yoshinori; (JP)
代理人: NUMAZAWA Yukio; (JP)
優先権情報:
2015-189028 26.09.2015 JP
2016-007612 19.01.2016 JP
発明の名称: (EN) BONDED SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING SAME AND SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE USING SAID BONDED SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT LIÉ, SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION ET DISPOSITIF À ONDES ACOUSTIQUES DE SURFACE UTILISANT LEDIT SUBSTRAT LIÉ
(JA) 接合基板及びその製造方法とこの接合基板を用いた弾性表面波デバイス
要約: front page image
(EN)[Problem] The purpose of the present invention is to provide a bonded substrate which has excellent temperature characteristics and is suppressed in terms of unnecessary responses due to reflection of acoustic waves at the bonding interface. [Solution] The present invention is characterized in that: this bonded substrate is configured by bonding an LiTaO3 substrate and a base substrate; and the Li concentration of the LiTaO3 substrate in the bonded surface that is in contact with the base substrate is higher than the Li concentration in the LiTaO3 substrate-side surface of the bonded substrate. In addition, it is preferable that the difference between the Li concentration of the LiTaO3 substrate in the bonded surface that is in contact with the base substrate and the Li concentration in the LiTaO3 substrate-side surface of the bonded substrate is 0.1 mol% or more; the Li concentration of the LiTaO3 substrate in the bonded surface that is in contact with the base substrate is expressed by Li/(Li + Ta) × 100 = (50 + α) mol% wherein α is within the range of -1.2 < α < 0.5; the Li concentration in the LiTaO3 substrate-side surface of the bonded substrate is expressed by Li/(Li + Ta) × 100 = (48.5 + β) mol% wherein β is within the range of -0.5 < β < 0.5; and the thickness from the bonding interface between the LiTaO3 substrate and the base substrate to the LiTaO3 substrate-side surface is more than 5 times but less than 20 times the wavelength of surface acoustic waves or leakage surface acoustic waves.
(FR)La présente invention a pour objet un substrat lié qui possède d'excellentes caractéristiques de température et ne produit aucune réponse superflue due à la réflexion d'ondes acoustiques au niveau de l'interface de liaison. La présente invention est donc caractérisée en ce que : ledit substrat lié est conçu en liant un substrat de LiTaO3 et un substrat de base ; et la concentration en Li du substrat de LiTaO3 dans la surface liée qui est en contact avec le substrat de base est supérieure à la concentration en Li dans la surface côté substrat de LiTaO3 du substrat lié. En outre, il est préférable : que la différence entre la concentration en Li du substrat de LiTaO3 dans la surface liée qui est en contact avec le substrat de base et la concentration en Li dans la surface côté substrat de LiTaO3 du substrat lié soit supérieure ou égale à 0,1 % en mole ; que la concentration en Li du substrat de LiTaO3 dans la surface liée qui est en contact avec le substrat de base soit exprimée par Li/(Li + Ta) × 100 = (50 + α) % en mole, α se situant dans la plage telle que -1,2 < α < 0,5 ; que la concentration en Li dans la surface côté substrat de LiTaO3 du substrat lié soit exprimée par Li/(Li + Ta) × 100 = (48,5 + β) % en mole, β se situant dans la plage telle que -0,5 < β < 0,5 ; et que l'épaisseur depuis l'interface de liaison entre le substrat de LiTaO3 et le substrat de base jusqu'à la surface côté substrat de LiTaO3 soit supérieure à 5 fois, mais inférieure à 20 fois, la longueur d'onde des ondes acoustiques de surface ou des ondes acoustiques de surface de fuite.
(JA)【課題】 本発明の目的は、温度特性に優れ、接合界面での弾性波の反射による不要な応答を抑制した接合基板を提供することである。 【解決手段】 本発明は、LiTaO3基板とベース基板を接合して構成され、LiTaO3基板のベース基板と接する接合面におけるLi濃度が接合基板のLiTaO3基板側表面のLi濃度よりも大きいことを特徴とする。また、LiTaO3基板のベース基板と接する接合面におけるLi濃度と、前記接合基板のLiTaO3基板側表面のLi濃度との差が、0.1mol%以上であることが好ましく、LiTaO3基板のベース基板と接する接合面におけるLi濃度は、Li/(Li+Ta)×100=(50+α)mol%で、αが-1.2<α<0.5の範囲、接合基板のLiTaO3基板側表面のLi濃度は、Li/(Li+Ta)×100=(48.5+β)mol%で、βが-0.5<β<0.5の範囲であり、LiTaO3基板とベース基板の接合界面からLiTaO3基板側の表面までの厚みが弾性表面波又は漏洩弾性表面波の波長の5倍より大きく20倍より小さい厚みである。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)