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1. (WO2017051730) 有機薄膜トランジスタおよび有機薄膜トランジスタの製造方法

Pub. No.:    WO/2017/051730    International Application No.:    PCT/JP2016/076632
Publication Date: Fri Mar 31 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Sat Sep 10 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 29/786
H01L 21/28
H01L 21/336
H01L 51/05
H01L 51/40
Applicants: FUJIFILM CORPORATION
富士フイルム株式会社
Inventors: MAEHARA Yoshiki
前原 佳紀
Title: 有機薄膜トランジスタおよび有機薄膜トランジスタの製造方法
Abstract:
高い移動度が得られる有機薄膜トランジスタ、および、この有機薄膜トランジスタの製造方法の提供を課題とする。基材、ゲート電極、ゲート絶縁層、有機半導体層、ソースおよびドレイン電極を有し、さらに、ソース電極とドレイン電極との対向側で、ソース電極とソース電極の基材側の層との間およびドレイン電極とドレイン電極の基材側の層との間に設けられる、ソース電極とドレイン電極との対向方向と逆に向かって厚さが減少する電荷注入層を有すること、および、金属層をレーザ走査してソースおよびドレイン電極を形成し、レーザ走査部に電荷注入層となる溶液を滴下することにより、課題を解決する。