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1. (WO2017051730) 有機薄膜トランジスタおよび有機薄膜トランジスタの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2017/051730    国際出願番号:    PCT/JP2016/076632
国際公開日: 30.03.2017 国際出願日: 09.09.2016
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01), H01L 51/40 (2006.01)
出願人: FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
発明者: MAEHARA Yoshiki; (JP)
代理人: WATANABE Mochitoshi; (JP).
MIWA Haruko; (JP).
ITOH Hideaki; (JP).
MITSUHASHI Fumio; (JP)
優先権情報:
2015-186767 24.09.2015 JP
発明の名称: (EN) ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR À COUCHES MINCES ORGANIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES ORGANIQUE
(JA) 有機薄膜トランジスタおよび有機薄膜トランジスタの製造方法
要約: front page image
(EN)The present invention addresses the problem of providing: an organic thin film transistor which is capable of achieving high mobility; and a method for manufacturing this organic thin film transistor. The problem is able to be solved by: comprising a base, a gate electrode, a gate insulating layer, an organic semiconductor layer, and source and drain electrodes; additionally comprising charge injection layers which are provided, on the facing sides of the source electrode and the drain electrode, between the source electrode and a layer on the base side of the source electrode and between the drain electrode and a layer on the base side of the drain electrode, and which have thicknesses decreasing in the directions opposite to the facing directions of the source electrode and the drain electrode; and forming the source and drain electrodes by laser scanning a metal layer and dropping a solution that forms the charge injection layers on the laser scanned portions.
(FR)La présente invention aborde le problème consistant à fournir : un transistor à couches minces organique qui est capable d'obtenir une mobilité élevée ; et un procédé de fabrication de ce transistor à couches minces organique. Le problème peut être résolu : en comprenant une base, une électrode de grille, une couche isolante de grille, une couche semi-conductrice organique, et des électrodes de source et de drain ; en comprenant en outre des couches d'injection de charge qui sont disposées sur les côtés se faisant face de l'électrode de source et de l'électrode de drain, entre l'électrode de source et une couche sur le côté de la base de l'électrode de source et entre l'électrode de drain et une couche sur le côté de la base de l'électrode de drain, et qui ont des épaisseurs diminuant dans les sens opposés aux sens se faisant face de l'électrode de source et de l'électrode de drain ; et en formant les électrodes de source et de drain par balayage au laser d'une couche métallique et en appliquant une solution qui forme les couches d'injection de charge sur les parties balayées au laser.
(JA)高い移動度が得られる有機薄膜トランジスタ、および、この有機薄膜トランジスタの製造方法の提供を課題とする。基材、ゲート電極、ゲート絶縁層、有機半導体層、ソースおよびドレイン電極を有し、さらに、ソース電極とドレイン電極との対向側で、ソース電極とソース電極の基材側の層との間およびドレイン電極とドレイン電極の基材側の層との間に設けられる、ソース電極とドレイン電極との対向方向と逆に向かって厚さが減少する電荷注入層を有すること、および、金属層をレーザ走査してソースおよびドレイン電極を形成し、レーザ走査部に電荷注入層となる溶液を滴下することにより、課題を解決する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)