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1. (WO2017051635) 半導体基板、光電変換素子、半導体基板の製造方法および光電変換素子の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2017/051635    国際出願番号:    PCT/JP2016/073889
国際公開日: 30.03.2017 国際出願日: 16.08.2016
IPC:
H01L 31/0236 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01), H01L 31/0747 (2012.01)
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522 (JP)
発明者: MORI, Takeshi; (--).
ISHII, Masahito; (--).
OKAMOTO, Chikao; (--)
代理人: FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
優先権情報:
2015-186521 24.09.2015 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT
(FR) SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR, ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 半導体基板、光電変換素子、半導体基板の製造方法および光電変換素子の製造方法
要約: front page image
(EN)This semiconductor substrate is provided with, in the surface thereof, a plurality of protruding sections (11) and recessed sections (12) among the protruding sections (11). Each of the protruding sections (11) is provided with sloped surfaces (11c). Each of the recessed sections (12) is provided with the bottom of a bent surface. The angle of the sloped surfaces (11c) of the protruding sections (11) is larger than 49.5° but equal to or smaller than 55.2°. The curvature radius of the bent surface of each of the recessed sections (12) is larger than 13 nm.
(FR)La présente invention concerne un substrat semi-conducteur qui est pourvu de, dans la surface de celui-ci, une pluralité de sections saillantes (11) et de sections évidées (12) parmi les sections saillantes (11). Chacune des sections saillantes (11) est pourvue de surfaces inclinées (11c). Chacune des sections évidées (12) est pourvue d’un fond ayant une surface courbée. L’angle des surfaces inclinées (11c) des sections saillantes (11) est supérieur à 49,5° mais égal ou inférieur à 55,2°. Le rayon de courbure de la surface courbée de chacune des sections évidées (12) est supérieur à 13 nm.
(JA)半導体基板は、複数の凸部(11)と、凸部(11)の間の凹部(12)とを表面に備えている。凸部(11)は傾斜面(11c)を備えている。凹部(12)は曲面の底を備えている。凸部(11)は傾斜面(11c)の角度が49.5°よりも大きく55.2°以下である。凹部(12)の曲面の曲率半径が13nmよりも大きい。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)