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1. (WO2017051530) 半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2017/051530    国際出願番号:    PCT/JP2016/004291
国際公開日: 30.03.2017 国際出願日: 20.09.2016
IPC:
H01L 21/338 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/337 (2006.01), H01L 27/098 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/808 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01)
出願人: PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207 (JP)
発明者: HARADA, Takeshi; (--).
UTAKA, Koji; (--)
代理人: KAMATA, Kenji; (JP).
MAEDA, Hiroo; (JP)
優先権情報:
2015-188307 25.09.2015 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約: front page image
(EN)A semiconductor device (100) has: a substrate (101); a p-type GaN layer (106), which is formed on the substrate (101), and is formed of GaN containing a p-type impurity; and a Ti film (116) formed on the surface of the p-type GaN layer (106). The Ti film (116) includes a Ti film (116a), and a nitrogen-containing Ti film (116b) having a lower degree of chemical activity than the Ti film (116a), and the nitrogen-containing Ti film (116b) continuously surrounds the outer periphery of the Ti film (116a) in plan view.
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur (100) qui comprend : un substrat (101) ; une couche de GaN de type p (106), qui est formée sur le substrat (101), et est formée de GaN contenant une impureté de type p ; et un film de Ti (116) formé sur la surface de la couche de GaN de type p (106). Le film de Ti (116) comprend un film de Ti (116a), et un film de Ti contenant de l’azote (116b) présentant un degré d’activité chimique plus faible le film de Ti (116a), et le film de Ti contenant de l’azote (116b) entoure de façon continue la périphérie externe du film de Ti (116a) dans une vue plane.
(JA)半導体装置(100)は、基板(101)と、基板(101)上に形成された、p型不純物を含むGaNからなるp型GaN層(106)と、p型GaN層(106)の表面に形成されたTi膜(116)とを有し、Ti膜(116)は、Ti膜(116a)と、Ti膜(116a)よりも化学的活性度が低い窒素含有Ti膜(116b)とを含み、平面視で窒素含有Ti膜(116b)はTi膜(116a)の外周を連続して囲んでいる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)