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1. (WO2017047625) 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体

Pub. No.:    WO/2017/047625    International Application No.:    PCT/JP2016/077075
Publication Date: Fri Mar 24 00:59:59 CET 2017 International Filing Date: Thu Sep 15 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 21/306
H01L 21/304
H01L 21/308
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED
東京エレクトロン株式会社
Inventors: NANBA Hiromitsu
難波 宏光
UEKI Tatsuhiro
植木 達博
Title: 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体
Abstract:
基板処理方法は、回転している前記基板の周縁部分に、第1混合比でフッ酸及び硝酸を含有する第1処理液を供給して前記除去対象膜をエッチングする第1処理工程と、前記基板に前記第1処理液を供給した後に、回転している前記基板の周縁部分に第1処理液よりもフッ酸の含有比が低く硝酸の含有比が高い第2混合比でフッ酸及び硝酸を含有する第2処理液を供給して前記除去対象膜をエッチングする第2処理工程と、を備える。基板の周縁部分からSiGe,アモルファスシリコンまたはポリシリコンからなる除去対象膜をウエットエッチングにより除去するにあたって、除去対象膜の下に存在する下地膜、例えばSiO2からなる膜を適切に残すことが可能となる。