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1. (WO2017047604) 複合基板の製造方法

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2017/047604    国際出願番号:    PCT/JP2016/077032
国際公開日: 23.03.2017 国際出願日: 14.09.2016
H01L 41/337 (2013.01), B24B 37/10 (2012.01), H01L 41/18 (2006.01), H01L 41/312 (2013.01), H01L 41/335 (2013.01), H03H 3/08 (2006.01)
出願人: NGK INSULATORS, LTD. [JP/JP]; 2-56, Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-city, Aichi 4678530 (JP)
発明者: KITAMURA, Kazumasa; (JP).
NAGAE, Tomoki; (JP)
代理人: ITEC INTERNATIONAL PATENT FIRM; SC Fushimi Bldg., 16-26, Nishiki 2-chome, Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 4600003 (JP)
2015-181762 15.09.2015 JP
(JA) 複合基板の製造方法
要約: front page image
(EN)A composite substrate manufacturing method of the present invention comprises: (a) a step of mirror-polishing a piezoelectric substrate side of a bonded substrate which comprises a piezoelectric substrate and a support substrate bonded to each other and which has a diameter of not less than 2 inches, until the thickness of the piezoelectric substrate becomes 20 μm or less; (b) a step of performing ion beam processing so that an outer peripheral portion of the piezoelectric substrate becomes thicker than an inner peripheral portion and that the difference between the maximum value and the minimum value of the thickness of the inner peripheral portion of the piezoelectric substrate is not more than 100 nm across the entire surface; and (c) a step of performing CMP polishing using a polishing pad with a diameter of not less than 5 mm and not more than 30 mm, wherein the polishing pad is moved and rotated while a constant pressing force of the polishing pad is maintained, so as to remove at least a part of an altered layer produced by the ion beam processing, thereby making the entire surface of the piezoelectric substrate flat.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication de substrat composite qui comprend les étapes suivantes : (a) le polissage miroir d'un côté substrat piézoélectrique d'un substrat collé qui comporte un substrat piézoélectrique et un substrat de support collés l'un à l'autre et qui présente un diamètre supérieur ou égal à 2 pouces, jusqu'à ce que l'épaisseur du substrat piézoélectrique soit inférieure ou égale à 20 μm; (b) l'exécution d'un traitement par faisceau d'ions de manière qu'une partie périphérique extérieure du substrat piézoélectrique devienne plus épaisse qu'une partie périphérique intérieure, et que la différence entre la valeur maximale et la valeur minimale de l'épaisseur de la partie périphérique intérieure du substrat piézoélectrique soit inférieure ou égale à 100 nm sur toute la surface; (c) l'exécution d'un polissage mécano-chimique (CMP) à l'aide d'un tampon de polissage présentant un diamètre supérieur ou égal à 5 mm et inférieur ou égal à 30 mm, le tampon de polissage étant déplacé et mis en rotation tout en maintenant une force de pression constante du tampon de polissage, de manière à éliminer au moins une partie d'une couche altérée produite par le traitement par faisceau d'ions, ce qui permet de rendre plate toute la surface du substrat piézoélectrique.
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)