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1. (WO2017047544) 半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2017/047544    国際出願番号:    PCT/JP2016/076782
国際公開日: 23.03.2017 国際出願日: 12.09.2016
IPC:
H01L 23/40 (2006.01), H05K 7/20 (2006.01)
出願人: FUJI ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530 (JP)
発明者: YOKOYAMA, Takeshi; (JP).
SAITO, Takashi; (JP)
代理人: HATTORI, Kiyoshi; (JP)
優先権情報:
2015-183810 17.09.2015 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)To suppress decrease in heat dissipation of a semiconductor device by preventing damage on a semiconductor chip. A method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention comprises: a step for preparing a heat dissipating base (step S101); a step for subjecting the back surface of the heat dissipating base to shot peening (step S102); a plating step for plating the front surface and the back surface of the heat dissipating base with a metal material (step S103); and a step wherein the heat dissipating base having been subjected to shot peening, a multilayer substrate, which is arranged on the front surface of the heat dissipating base with a solder interposed therebetween and comprises an insulating plate and a circuit plate provided on the front surface of the insulating plate, and a semiconductor chip, which is arranged on the circuit plate with a solder interposed therebetween, are solder bonded with each other by heating. Consequently, the heat dissipating base is able to be provided with initial warp (downward bending) by means of shot peening before assembling of the semiconductor chip, the multilayer substrate and the heat dissipating base, so that the semiconductor chip and the solder are prevented from being damaged.
(FR)La présente invention concerne la suppression de la diminution de dissipation de chaleur d’un dispositif semi-conducteur en évitant les dommages sur une puce à semi-conducteur. Un procédé de fabrication d’un dispositif à semi-conducteur selon la présente invention comprend : une étape de préparation d’une base de dissipation de chaleur (étape S101) ; une étape de soumission de la surface arrière de la base de dissipation de chaleur à un grenaillage de précontrainte (étape S102) ; une étape de placage pour plaquer la surface avant et la surface arrière de la base de dissipation de chaleur avec un matériau métallique (étape S103) ; et une étape dans laquelle la base de dissipation de chaleur ayant été soumise au grenaillage de précontrainte, un substrat multicouche, qui est agencé sur la surface avant de la base de dissipation de chaleur avec une brasure intercalée entre ceux-ci et comprend une plaque isolante et une plaque de circuit disposée sur la surface avant de la plaque isolante, et une puce à semi-conducteur, qui est agencée sur la plaque de circuit avec une brasure intercalée entre celles-ci, sont fixés par brasage les uns aux autres par chauffage. Par conséquent, la base de dissipation de chaleur peut être pourvu d’un gauchissement initial (courbure vers le bas) au moyen d’un grenaillage de précontrainte avant l’assemblage de la puce à semi-conducteur, du substrat multicouche et de la base de dissipation de chaleur, de manière à éviter que la puce à semi-conducteur et le brasage soient endommagés.
(JA)半導体チップに対する損傷を防止して半導体装置の放熱性の低下を抑制する。 放熱ベースを用意する工程(ステップS101)と、放熱ベースの裏面に対してショットピーニング処理を行う工程(ステップS102)と、放熱ベースのおもて面及び裏面を金属材料でめっきするめっき処理工程(ステップS103)と、ショットピーニング処理が行われた放熱ベースと、放熱ベースのおもて面にはんだを介して配置された、絶縁板と、絶縁板のおもて面に設けられた回路板とを有する積層基板と、回路板上にはんだを介して配置された半導体チップとを加熱によりはんだ接合する工程と、を有する。これにより、半導体チップ、積層基板、放熱ベースを組み立てる前に、ショットピーニング処理により放熱ベースに初期反り(下に凸)を付けることができることから、半導体チップ、はんだに損傷を与えることがない。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)