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1. (WO2017047508) SiC複合基板の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2017/047508    国際出願番号:    PCT/JP2016/076537
国際公開日: 23.03.2017 国際出願日: 09.09.2016
IPC:
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01)
出願人: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. [JP/JP]; 6-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP).
CUSIC INC. [JP/JP]; 2-10, Chuo 2-chome, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9800021 (JP)
発明者: AKIYAMA Shoji; (JP).
KUBOTA Yoshihiro; (JP).
NAGASAWA Hiroyuki; (JP)
代理人: PATENT PROFESSIONAL CORPORATION EI-MEI PATENT OFFICE; GINZA OHTSUKA Bldg. 2F, 16-12, Ginza 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040061 (JP)
優先権情報:
2015-181908 15.09.2015 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING SiC COMPOSITE SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT COMPOSITE DE SiC
(JA) SiC複合基板の製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is a method for producing a SiC composite substrate 10 having a single crystal SiC layer 12 on a polycrystalline SiC substrate 11, wherein after the single crystal SiC layer 12 is provided on the front surface of a holding substrate 21 comprising Si and having a silicon oxide film 21a on the front and back surfaces thereof to produce a single crystal SiC layer supporting body 14, a part or all of the thickness of the silicon oxide film 21a on one area or all of the back surface of the holding substrate 21 in the single crystal SiC layer supporting body 14 is removed to impart warpage to the single crystal SiC layer supporting body 14', then polycrystalline SiC is deposited on the single crystal SiC layer 12 by chemical vapor deposition to form the polycrystalline SiC substrate 11, and thereafter the holding substrate is physically and/or chemically removed. By means of the present invention, it is possible to obtain a SiC composite substrate having a single crystal SiC layer with good crystallinity and little warpage with a simple production process.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat composite de SiC 10 ayant une couche de SiC monocristalline 12 sur un substrat de SiC polycristallin 11, étant entendu qu'après que la couche de SiC monocristalline 12 soit disposée sur la surface avant d'un substrat de maintien 21 comprenant du Si et ayant un film d'oxyde de silicium 21a sur ses surfaces avant et arrière afin de produire un corps de support de couche de SiC monocristalline 14, une partie ou la totalité de l'épaisseur du film d'oxyde de silicium 21a sur une zone ou la totalité de la surface arrière du substrat de maintien 21 dans le corps de support de couche de SiC monocristalline 14 est retirée pour conférer un gauchissement au corps de support de couche de SiC monocristalline 14', puis du SiC polycristallin est déposé sur la couche de SiC monocristalline 12 par dépôt chimique en phase vapeur pour former le substrat de SiC polycristallin 11, et, par la suite, le substrat de maintien est physiquement et/ou chimiquement retiré. Au moyen de la présente invention, il est possible d'obtenir un substrat composite de SiC ayant une couche de SiC monocristalline avec une bonne cristallinité et un gauchissement réduit avec un procédé de fabrication simple.
(JA)多結晶SiC基板11上に単結晶SiC層12を有するSiC複合基板10の製造方法であって、表裏面に酸化珪素膜21aを有するSiからなる保持基板21の表面に単結晶SiC層12を設けて単結晶SiC層担持体14を作製した後、該単結晶SiC層担持体14における保持基板21の裏面の一部領域又は全面の酸化珪素膜21aの厚みの一部又は全部を除去して単結晶SiC層担持体14'に反りを付与し、次いで単結晶SiC層12上に化学気相成長法により多結晶SiCを堆積して多結晶SiC基板11を形成し、その後に上記保持基板21を物理的及び/又は化学的に除去するSiC複合基板の製造方法を提供する。本発明により簡便な製造プロセスで結晶性のよい単結晶SiC層を有すると共に反りの少ないSiC複合基板が得られる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)