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1. (WO2017047478) SiC複合基板及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2017/047478    国際出願番号:    PCT/JP2016/076361
国際公開日: 23.03.2017 国際出願日: 08.09.2016
IPC:
H01L 21/20 (2006.01), C23C 16/42 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01)
出願人: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. [JP/JP]; 6-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP).
CUSIC INC. [JP/JP]; 2-10, Chuo 2-chome, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9800021 (JP)
発明者: KUBOTA Yoshihiro; (JP).
AKIYAMA Shoji; (JP).
NAGASAWA Hiroyuki; (JP)
代理人: PATENT PROFESSIONAL CORPORATION EI-MEI PATENT OFFICE; GINZA OHTSUKA Bldg. 2F, 16-12, Ginza 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040061 (JP)
優先権情報:
2015-180637 14.09.2015 JP
発明の名称: (EN) SiC COMPOSITE SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) SUBSTRAT COMPOSITE DE SiC ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) SiC複合基板及びその製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is an SiC composite substrate 10 having a monocrystalline SiC layer 12 on a polycrystalline SiC substrate 11, wherein: some or all of the interface at which the polycrystalline SiC substrate 11 and the monocrystalline SiC layer 12 are in contact is an unmatched interface I12/11 that is not lattice-matched; the monocrystalline SiC layer 12 has a smooth obverse surface and has, on the side of the interface with the polycrystalline SiC substrate 11, a surface that has more pronounced depressions and projections than the obverse surface; and the close-packed plane (lattice plane 11p) of the crystals of the polycrystalline SiC in the polycrystalline SiC substrate 11 is randomly oriented with reference to the direction of a normal to the obverse surface of the monocrystalline SiC layer 12. The present invention improves the adhesion between the polycrystalline SiC substrate and the monocrystalline SiC layer without, inter alia, causing any crystal structure defects in the monocrystalline SiC layer, and without providing an interposing layer between the polycrystalline SiC substrate and the monocrystalline SiC layer.
(FR)L'invention concerne un substrat composite de SiC 10 ayant une couche de SiC monocristallin 12 sur un substrat de SiC polycristallin 11 : une partie ou la totalité de l'interface au niveau de laquelle sont en contact le substrat de SiC polycristallin 11 et la couche de SiC monocristallin 12 étant une interface sans correspondance I12/11 qui n'est pas en correspondance de réseau; laquelle couche de SiC monocristallin 12 a une surface recto lisse et a, sur le côté de l'interface avec le substrat de SiC polycristallin 11, une surface qui présente des dépressions et des projections plus prononcées que la surface recto; et le plan compact (plan de réseau 11p) des cristaux du SiC polycristallin dans le substrat de SiC polycristallin 11 est orienté de façon aléatoire par rapport à la direction d'une normale à la surface recto de la couche de SiC monocristallin 12. La présente invention améliore l'adhérence entre le substrat de SiC polycristallin et la couche de SiC monocristallin sans, entre autres, provoquer de défauts de structure cristalline dans la couche de SiC monocristallin, et sans qu'il soit nécessaire d'utiliser une couche d'interposition entre le substrat de SiC polycristallin et la couche de SiC monocristallin.
(JA)多結晶SiC基板11上に単結晶SiC層12を有するSiC複合基板10において、上記多結晶SiC基板11と単結晶SiC層12とが当接する界面の全面又は一部が格子整合していない不整合界面I12/11であり、上記単結晶SiC層12は平滑な表面を有すると共に多結晶SiC基板11との界面側にこの表面よりも凹凸がある面を有しており、上記多結晶SiC基板11における多結晶SiCの結晶の最密面(格子面11p)が単結晶SiC層12の表面の法線方向を基準としてランダムに配向しているSiC複合基板を提供する。本発明により多結晶SiC基板と単結晶SiC層との間に介在層を伴わずに、単結晶SiC層に結晶構造の欠陥等が入ることなく多結晶SiC基板と単結晶SiC層との付着力を向上する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)