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1. (WO2017047346) 電子デバイス及び電子デバイスの封止方法
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国際公開番号: WO/2017/047346 国際出願番号: PCT/JP2016/074751
国際公開日: 23.03.2017 国際出願日: 25.08.2016
IPC:
H05B 33/04 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01)
H 電気
05
他に分類されない電気技術
B
電気加熱;他に分類されない電気照明
33
エレクトロルミネッセンス光源
02
細部
04
封止装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
50
光放出に特に適用されるもの,例.有機発光ダイオード(OLED)または高分子発光ダイオード(PLED)
出願人:
コニカミノルタ株式会社 KONICA MINOLTA, INC. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番2号 2-7-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1007015, JP
発明者:
奥山 真人 OKUYAMA, Masato; JP
小渕 礼子 OBUCHI, Reiko; JP
代理人:
特許業務法人光陽国際特許事務所 KOYO INTERNATIONAL PATENT FIRM; 東京都千代田区有楽町一丁目1番3号 東京宝塚ビル17階 17F., Tokyo Takarazuka Bldg., 1-1-3, Yurakucho, Chiyoda-ku, Tokyo 1000006, JP
優先権情報:
2015-18254316.09.2015JP
2015-18254916.09.2015JP
発明の名称: (EN) ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR SEALING ELECTRONIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ D'ÉTANCHÉIFICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 電子デバイス及び電子デバイスの封止方法
要約:
(EN) The present invention addresses the problem of providing an electronic device that is provided with a sealing layer having high gas barrier performance, and a method for sealing the electronic device using the sealing layer. This electronic device has, on a base material, a functional element and a sealing layer that seals the functional element. The electronic device is characterized in that the sealing layer is a laminated body, which is configured from a first gas barrier layer containing the oxide of a Group 12-14 non-transition metal (M1), and a second gas barrier layer containing the oxide of a transition metal (M2) disposed in contact with the first gas barrier layer, or the sealing layer is a gas barrier layer containing the composite oxide of the non-transition metal (M1) and the transition metal (M2), or the sealing layer has a region containing the composite oxide.
(FR) Le problème abordé par la présente invention est de pourvoir à un dispositif électronique qui comporte une couche d'étanchéité présentant de hautes performances de barrière aux gaz, et un procédé d'étanchéification du dispositif électronique à l'aide de la couche d'étanchéité. Ce dispositif électronique comporte, sur un matériau de base, un élément fonctionnel et une couche d'étanchéité qui étanchéifie l'élément fonctionnel. Le dispositif électronique est caractérisé en ce que la couche d'étanchéité est un corps stratifié, qui est configuré à partir d'une première couche barrière aux gaz contenant l'oxyde d'un non-métal de transition des groupes 12-14 (M1), et d'une seconde couche barrière aux gaz contenant l'oxyde d'un métal de transition (M2) disposée en contact avec la première couche barrière aux gaz, ou la couche d'étanchéité est une couche barrière aux gaz contenant l'oxyde composite du non-métal de transition (M1) et du métal de transition (M2), ou la couche d'étanchéité comporte une région contenant l'oxyde composite.
(JA) 本発明の課題は、高いガスバリアー性能を有する封止層を具備する電子デバイス、及び当該封止層を用いた電子デバイスの封止方法を提供することである。 本発明の電子デバイスは、基材上に機能性素子及び当該機能性素子を封止する封止層を有する電子デバイスであって、前記封止層が、第12~14族の非遷移金属(M1)の酸化物を含有する第1のガスバリアー層と、当該第1のガスバリアー層に接して配置された遷移金属(M2)の酸化物を含有する第2のガスバリアー層の積層体であるか、又は前記非遷移金属(M1)及び前記遷移金属(M2)の複合酸化物を含有するガスバリアー層であるか、若しくは当該複合酸化物を含有する領域を有することを特徴とする。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)