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1. (WO2017047311) 光電変換素子及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2017/047311    国際出願番号:    PCT/JP2016/073872
国際公開日: 23.03.2017 国際出願日: 16.08.2016
IPC:
H01L 31/0747 (2012.01)
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522 (JP)
発明者: MATSUMOTO, Yuta; (--).
OKAMOTO, Chikao; (--).
SAITO, Masaru; (--)
代理人: FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
優先権情報:
2015-185468 18.09.2015 JP
2015-185470 18.09.2015 JP
発明の名称: (EN) PHOTOELECTRIC TRANSDUCER AND PRODUCTION METHOD FOR SAME
(FR) TRANSDUCTEUR PHOTOÉLECTRIQUE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 光電変換素子及びその製造方法
要約: front page image
(EN)A photoelectric transducer (1) comprises: a first non-crystalline semiconductor layer (17) that is of a first conductivity type, and is provided upon a second surface (11b) of a semiconductor substrate (11); and a first non-crystalline semiconductor region (16) that is of a second conductivity type different from the first conductivity type, and is provided upon the second surface (11b). The first non-crystalline semiconductor layer (17) includes a first impurity that is of the first conductivity type. The first non-crystalline semiconductor region (16) includes the first impurity and a second impurity that is of the second conductivity type. The first non-crystalline semiconductor layer (17) and the first non-crystalline semiconductor region (16) constitute a single continuous and extending layer. As a result, the photoelectric transducer (1) has improved characteristics and reliability.
(FR)L'invention concerne un transducteur photoélectrique (1) qui comprend : une première couche semi-conductrice non cristalline (17) qui est d'un premier type de conductivité, et qui est disposée sur une seconde surface (11b) d'un substrat semi-conducteur (11) ; et une première région semi-conductrice non cristalline (16) qui est d'un second type de conductivité différent du premier type de conductivité, et qui est disposée sur la seconde surface (11b). La première couche semi-conductrice non cristalline (17) comprend une première impureté qui est du premier type de conductivité. La première région semi-conductrice non cristalline (16) comprend la première impureté et une seconde impureté qui est du second type de conductivité. La première couche semi-conductrice non cristalline (17) et la première région semi-conductrice non cristalline (16) constituent une seule couche continue et en extension. Par conséquent, le transducteur photoélectrique (1) a des caractéristiques et une fiabilité améliorées.
(JA)光電変換素子(1)は、半導体基板(11)の第2の表面(11b)上に設けられるとともに、第1の導電型を有する第1の非晶質半導体層(17)と、第2の表面(11b)上に設けられるとともに、第1の導電型と異なる第2の導電型を有する第1の非晶質半導体領域(16)とを備える。第1の非晶質半導体層(17)は第1の導電型を有する第1の不純物を含む。第1の非晶質半導体領域(16)は第1の不純物と第2の導電型を有する第2の不純物とを含む。第1の非晶質半導体層(17)及び第1の非晶質半導体領域(16)は、連続して延在する1つの層を構成する。そのため、光電変換素子(1)は、向上された特性及び信頼性を有する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)