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1. (WO2017047311) 光電変換素子及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2017/047311 国際出願番号: PCT/JP2016/073872
国際公開日: 23.03.2017 国際出願日: 16.08.2016
IPC:
H01L 31/0747 (2012.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04
変換装置として使用されるもの
06
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
072
電位障壁がPNヘテロ接合型のみからなるもの
0745
AIVBIVヘテロ接合からなる,例.Si/Ge,SiGe/SiまたはSi/SiC太陽電池
0747
結晶材料とアモルファス材料のヘテロ接合からなる,例.薄い真性層を備えたヘテロ接合またはHIT(R)の太陽電池とのヘテロ結合
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA[JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
発明者: MATSUMOTO, Yuta; --
OKAMOTO, Chikao; --
SAITO, Masaru; --
代理人: FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Festival Tower West, 2-4, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
優先権情報:
2015-18546818.09.2015JP
2015-18547018.09.2015JP
発明の名称: (EN) PHOTOELECTRIC TRANSDUCER AND PRODUCTION METHOD FOR SAME
(FR) TRANSDUCTEUR PHOTOÉLECTRIQUE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 光電変換素子及びその製造方法
要約:
(EN) A photoelectric transducer (1) comprises: a first non-crystalline semiconductor layer (17) that is of a first conductivity type, and is provided upon a second surface (11b) of a semiconductor substrate (11); and a first non-crystalline semiconductor region (16) that is of a second conductivity type different from the first conductivity type, and is provided upon the second surface (11b). The first non-crystalline semiconductor layer (17) includes a first impurity that is of the first conductivity type. The first non-crystalline semiconductor region (16) includes the first impurity and a second impurity that is of the second conductivity type. The first non-crystalline semiconductor layer (17) and the first non-crystalline semiconductor region (16) constitute a single continuous and extending layer. As a result, the photoelectric transducer (1) has improved characteristics and reliability.
(FR) L'invention concerne un transducteur photoélectrique (1) qui comprend : une première couche semi-conductrice non cristalline (17) qui est d'un premier type de conductivité, et qui est disposée sur une seconde surface (11b) d'un substrat semi-conducteur (11); et une première région semi-conductrice non cristalline (16) qui est d'un second type de conductivité différent du premier type de conductivité, et qui est disposée sur la seconde surface (11b). La première couche semi-conductrice non cristalline (17) comprend une première impureté qui est du premier type de conductivité. La première région semi-conductrice non cristalline (16) comprend la première impureté et une seconde impureté qui est du second type de conductivité. La première couche semi-conductrice non cristalline (17) et la première région semi-conductrice non cristalline (16) constituent une seule couche continue et en extension. Par conséquent, le transducteur photoélectrique (1) a des caractéristiques et une fiabilité améliorées.
(JA) 光電変換素子(1)は、半導体基板(11)の第2の表面(11b)上に設けられるとともに、第1の導電型を有する第1の非晶質半導体層(17)と、第2の表面(11b)上に設けられるとともに、第1の導電型と異なる第2の導電型を有する第1の非晶質半導体領域(16)とを備える。第1の非晶質半導体層(17)は第1の導電型を有する第1の不純物を含む。第1の非晶質半導体領域(16)は第1の不純物と第2の導電型を有する第2の不純物とを含む。第1の非晶質半導体層(17)及び第1の非晶質半導体領域(16)は、連続して延在する1つの層を構成する。そのため、光電変換素子(1)は、向上された特性及び信頼性を有する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)