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1. (WO2017047284) 半導体装置および半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2017/047284    国際出願番号:    PCT/JP2016/073367
国際公開日: 23.03.2017 国際出願日: 08.08.2016
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 23/48 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01)
出願人: FUJI ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530 (JP)
発明者: HOSHI, Yasuyuki; (JP).
HARADA, Yuichi; (JP).
SHIIGI, Takashi; (JP)
代理人: SAKAI, Akinori; (JP)
優先権情報:
2015-184249 17.09.2015 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置および半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)An interlayer insulation film (13) for electrically insulating a gate electrode (7) and a source electrode (8) from each other in a semiconductor device has a structure in which a BPSG film (100) and an NSG film (101) are laminated in the stated order. In addition, the interlayer insulation film (13) has a structure in which the BPSG film (100), the NSG film (101), and an SiN film (102) are laminated in the stated order, or a structure in which the BPSG film (100), the SiN film (102), and the NSG film (101) are laminated in the stated order. Adopting such a configuration makes it possible to improve the reliability of a semiconductor device in which a pin-shaped electrode is bonded by solder.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur dans lequel un film d'isolation intercouche (13), servant à isoler électriquement l'une de l'autre une électrode de grille (7) et une électrode de source (8), présente une structure dans laquelle un film BPSG (100) et un film NSG (101) sont stratifiés dans l'ordre indiqué. De plus, le film d'isolation intercouche (13) présente une structure dans laquelle le film BPSG (100), le film NSG (101) et un film SiN (102) sont stratifiés dans l'ordre indiqué, ou une structure dans laquelle le film BPSG (100), le film SiN (102) et le film NSG (101) sont stratifiés dans l'ordre indiqué. L'adoption d'une telle configuration permet d'améliorer la fiabilité d'un dispositif à semi-conducteur dans lequel une électrode en forme de broche est collée par brasage.
(JA)半導体装置の、ゲート電極(7)とソース電極(8)を電気的に絶縁する層間絶縁膜(13)は、BPSG膜(100)、NSG膜(101)が順に積層された構造を有する。また、層間絶縁膜(13)は、BPSG膜(100)、NSG膜(101)、SiN膜(102)が順に積層された構造を有する、または、BPSG膜(100)、SiN膜(102)、NSG膜(101)が順に積層された構造を有する。このようにすることで、ピン状電極を半田で接合した半導体装置の信頼性を向上させることができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)