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1. (WO2017047276) 半導体装置および半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2017/047276    国際出願番号:    PCT/JP2016/073199
国際公開日: 23.03.2017 国際出願日: 05.08.2016
IPC:
H01L 29/861 (2006.01), H01L 21/322 (2006.01), H01L 21/329 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/868 (2006.01)
出願人: FUJI ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530 (JP)
発明者: TAKISHITA Hiroshi; (JP).
YOSHIMURA Takashi; (JP).
TAMURA Takahiro; (JP).
ONOZAWA Yuichi; (JP).
YAMANO Akio; (JP)
代理人: RYUKA IP LAW FIRM; 22F, Shinjuku L Tower, 1-6-1, Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo 1631522 (JP)
優先権情報:
2015-183143 16.09.2015 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION METHOD
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置および半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is a semiconductor device provided with: a semiconductor substrate doped with impurities; a front-surface-side electrode provided to the front-surface side of the semiconductor substrate; and a back-surface-side electrode provided to the back-surface side of the semiconductor substrate. The semiconductor substrate has: a peak region that is disposed to the back-surface-side of the semiconductor substrate and that has an impurity concentration having at least one peak; a high-concentration region that is disposed closer to the front-surface-side than the peak region and that has an impurity concentration more gradual than the at least one peak; and a low-concentration region that is disposed closer to the front-surface-side than the high-concentration region and that has a lower impurity concentration than the impurity concentration of the high-concentration region and the substrate concentration of the semiconductor substrate.
(FR)L'invention concerne un dispositif semi-conducteur doté de : un substrat semi-conducteur dopé avec des impuretés ; une électrode du côté surface avant située sur le côté surface avant du substrat semi-conducteur ; et une électrode du côté surface arrière située sur le côté surface arrière du substrat semi-conducteur. Le substrat semi-conducteur possède : une région de pic qui est disposée sur le côté surface arrière du substrat semi-conducteur et qui a une concentration en impuretés ayant au moins un pic ; une région de concentration élevée qui est disposée plus près du côté surface avant que la région de pic et qui a une concentration en impuretés plus progressive que l'au moins un pic ; et une région de faible concentration qui est disposée plus près du côté surface avant que la région de concentration élevée et qui a une concentration en impuretés inférieure à la concentration en impuretés de la région à concentration élevée et la concentration de substrat du substrat semi-conducteur.
(JA)不純物がドープされた半導体基板と、半導体基板の表面側に設けられた表面側電極と、半導体基板の裏面側に設けられた裏面側電極とを備え、半導体基板は、半導体基板の裏面側に配置され、不純物濃度が1以上のピークを有するピーク領域と、ピーク領域よりも表面側に配置され、不純物濃度が1以上のピークよりもなだらかな高濃度領域と、高濃度領域よりも表面側に配置され、高濃度領域の不純物濃度および半導体基板の基板濃度よりも不純物濃度が低い低濃度領域とを有する半導体装置を提供する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)