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1. (WO2017047246) 封止光半導体素子および発光装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2017/047246    国際出願番号:    PCT/JP2016/072199
国際公開日: 23.03.2017 国際出願日: 28.07.2016
IPC:
H01L 33/52 (2010.01), H01L 21/56 (2006.01)
出願人: NITTO DENKO CORPORATION [JP/JP]; 1-2, Shimo-hozumi 1-chome, Ibaraki-shi, Osaka 5678680 (JP)
発明者: MITANI, Munehisa; (JP).
YOSHIDA, Naoko; (JP).
ISHII, Jun; (JP).
EBE, Yuki; (JP)
代理人: OKAMOTO, Hiroyuki; (JP).
UDA, Shinichi; (JP)
優先権情報:
2015-180714 14.09.2015 JP
発明の名称: (EN) SEALED OPTICAL SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT EMITTING DEVICE
(FR) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR OPTIQUE ÉTANCHE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT
(JA) 封止光半導体素子および発光装置の製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a method for manufacturing a sealed optical semiconductor element, said method being provided with: a step (1) for adhering an electrode surface of an optical semiconductor element to a pressure sensitive adhesive layer by pressure sensitive adhesion, said optical semiconductor element having the electrode surface that is provided with an electrode; a step (2) for manufacturing a sealed optical semiconductor element by sealing the optical semiconductor element by means of a sealing layer after the step (1), said sealed optical semiconductor element being provided with the optical semiconductor element and the sealing layer; and a step (3) for peeling the sealed optical semiconductor element from the pressure sensitive adhesive layer after the step (2). The peel adhesive force of the pressure sensitive adhesive layer is 220-300 mN/10 mm2.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un élément semi-conducteur optique étanche, ledit procédé comportant : une étape (1) pour faire adhérer une surface d'électrode d'un élément optique semi-conducteur à une couche adhésive sensible à la pression par une adhérence sensible à la pression, ledit élément semi-conducteur optique ayant la surface de l'électrode pourvue d'une électrode ; une étape (2) pour fabriquer un élément semi-conducteur optique étanche par le scellement étanche de l'élément semi-conducteur optique au moyen d'une couche d'étanchéité après l'étape (1), ledit élément semi-conducteur optique étanche étant doté de l'élément semi-conducteur optique et de la couche d'étanchéité ; et une étape (3) pour décoller l'élément semi-conducteur optique étanche de la couche adhésive sensible à la pression après l'étape (2). La force adhésive au décollage de la couche adhésive sensible à la pression est de 220 à 300 mN/10 mN/10 mm2.
(JA)封止光半導体素子の製造方法は、電極が設けられる電極面を有する光半導体素子の電極面を、感圧接着層に感圧接着する工程(1)、工程(1)の後に、光半導体素子を封止層によって封止することにより、光半導体素子と封止層とを備える封止光半導体素子を作製する工程(2)、および、工程(2)の後に、封止光半導体素子を感圧接着層から剥離する工程(3)を備える。感圧接着層の剥離接着力が、220mN/10mm以上、300mN/10mm以下である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)