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1. (WO2017047244) 炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法および炭化珪素エピタキシャル成長装置
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国際公開番号: WO/2017/047244 国際出願番号: PCT/JP2016/072141
国際公開日: 23.03.2017 国際出願日: 28.07.2016
IPC:
H01L 21/205 (2006.01) ,C23C 16/42 (2006.01) ,C30B 29/36 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22
金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30
化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
42
けい化物
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10
無機化合物または組成物
36
炭化物
出願人:
住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP
発明者:
土井 秀之 DOI, Hideyuki; JP
和田 圭司 WADA, Keiji; JP
平塚 健二 HIRATSUKA, Kenji; JP
代理人:
特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; 大阪府大阪市北区中之島二丁目2番7号 中之島セントラルタワー Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
優先権情報:
2015-18066414.09.2015JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE AND APPARATUS FOR SILICON CARBIDE EPITAXIAL GROWTH
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT ÉPITAXIAL DE CARBURE DE SILICIUM ET APPAREIL DE CROISSANCE ÉPITAXIALE DE CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法および炭化珪素エピタキシャル成長装置
要約:
(EN) This method for manufacturing a silicon carbide epitaxial substrate comprises: preheating nitrogen gas prior to introducing the nitrogen gas into a reactor containing a silicon carbide single crystal substrate; and introducing a gas mixture including carrier gas, raw gas, nitrogen gas, and ammonia gas into the reactor, and then epitaxially growing a nitrogen-doped silicon carbide layer on the silicon carbide single crystal substrate.
(FR) Ce procédé de fabrication d'un substrat épitaxial de carbure de silicium consiste à : préchauffer de l'azote gazeux avant d'introduire l'azote gazeux dans une chambre de réaction contenant un substrat monocristallin de carbure de silicium ; et introduire un mélange gazeux comprenant un gaz porteur, un gaz brut, de l'azote gazeux, et du gaz ammoniac dans la chambre de réaction, puis procéder à la croissance épitaxiale d'une couche de carbure de silicium dopée à l'azote sur le substrat monocristallin de carbure de silicium.
(JA) 炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法は、反応室内の炭化珪素単結晶基板に窒素ガスを導入する前に窒素ガスを予備加熱する工程と、キャリアガスと、原料ガスと、窒素ガスと、アンモニアガスとを含む混合ガスを、反応室に導入して、窒素がドープされた炭化珪素層を炭化珪素単結晶基板上にエピタキシャル成長する工程とを備える。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)