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1. (WO2017043628) 窒化物半導体基板の製造方法、窒化物半導体基板およびその加熱装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2017/043628    国際出願番号:    PCT/JP2016/076622
国際公開日: 16.03.2017 国際出願日: 09.09.2016
予備審査請求日:    27.02.2017    
IPC:
H01L 21/20 (2006.01), C23C 16/18 (2006.01), C23C 16/34 (2006.01), C30B 29/38 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/324 (2006.01)
出願人: MIE UNIVERSITY [JP/JP]; 1577, Kurimamachiya-cho, Tsu-shi, Mie 5148507 (JP)
発明者: MIYAKE, Hideto; (JP)
代理人: NII, Hiromori; (JP)
優先権情報:
2015-180173 11.09.2015 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND DEVICE FOR HEATING SAME
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE, SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE, ET SON DISPOSITIF DE CHAUFFAGE
(JA) 窒化物半導体基板の製造方法、窒化物半導体基板およびその加熱装置
要約: front page image
(EN)A method for manufacturing a nitride semiconductor substrate (1), wherein said method comprises a preparation step (S10) for preparing a sapphire substrate (2) and a buffer layer formation step (S16) for forming an AlN buffer layer (3) on the sapphire substrate (2). The buffer layer formation step (S16) comprises: a group III nitride semiconductor formation step (S16a) for forming a precursor (3a) of the AlN buffer layer on the sapphire substrate (2); and an annealing step (S16b) for annealing the sapphire substrate (2) on which the precursor (3a) of the AlN buffer layer has been formed in an airtight state in which the main surface of the precursor (3a) of the AlN buffer layer is covered by a cover member (sapphire substrate (102), etc.) for inhibiting the component of the precursor (3a) of the AlN buffer layer from dissociating from the main surface of the formed precursor (3a) of the AlN buffer layer.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat (1) semi-conducteur au nitrure, ledit procédé consistant en une étape de préparation (S10) pour la préparation d'un substrat de saphir (2) et en une étape de formation de couche tampon (S16) pour la formation d'une couche tampon (3) d'AlN sur le substrat de saphir (2). L'étape de formation de couche tampon (S16) consiste : en une étape de formation de semi-conducteur au nitrure du groupe III (S16a) pour la formation d'un précurseur (3a) de la couche tampon d'AlN sur le substrat de saphir (2); et en une étape de recuit (S16b) pour la recuisson du substrat de saphir (2) sur lequel a été formé le précurseur (3a) de la couche tampon d'AlN dans un état étanche à l'air dans lequel la surface principale du précurseur (3a) de la couche tampon d'AlN est recouverte d'un organe de couvercle (substrat de saphir (102), etc.) pour l'inhibition de la dissociation du composant du précurseur (3a) de la couche tampon d'AlN de la surface principale du précurseur (3a) formé de la couche tampon d'AlN.
(JA)窒化物半導体基板(1)の製造方法であって、サファイア基板(2)を準備する準備工程(S10)と、サファイア基板(2)上にAlN緩衝層(3)を形成する緩衝層形成工程(S16)とを含み、緩衝層形成工程(S16)は、サファイア基板(2)上にAlN緩衝層の前駆体(3a)を形成するIII族窒化物半導体形成工程(S16a)と、形成されたAlN緩衝層の前駆体(3a)の主面からその成分が解離するのを抑制するためのカバー部材(サファイア基板(102)等)でAlN緩衝層の前駆体(3a)の主面を覆った気密状態で、AlN緩衝層の前駆体(3a)が形成されたサファイア基板(2)をアニールするアニール工程(S16b)とを含む。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)