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1. (WO2017043620) 有機ルテニウム化合物からなる化学蒸着用原料及び該化学蒸着用原料を用いた化学蒸着法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2017/043620 国際出願番号: PCT/JP2016/076585
国際公開日: 16.03.2017 国際出願日: 09.09.2016
IPC:
C23C 16/18 (2006.01) ,C07C 251/08 (2006.01) ,C07F 15/00 (2006.01) ,H01L 21/285 (2006.01)
出願人: TANAKA KIKINZOKU KOGYO K.K.[JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006422, JP
発明者: HARADA, Ryosuke; JP
SHIGETOMI, Toshiyuki; JP
ISHIZAKA, Tasuku; JP
AOYAMA, Tatsutaka; JP
代理人: TANAKA AND OKAZAKI; Hongo K&K Bldg., 30-10, Hongo 3-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 1130033, JP
優先権情報:
2015-18010111.09.2015JP
発明の名称: (EN) CHEMICAL VAPOR DEPOSITION FEEDSTOCK COMPRISING ORGANIC RUTHENIUM COMPOUND AND CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD USING SAID CHEMICAL VAPOR DEPOSITION FEEDSTOCK
(FR) MATIÈRE PREMIÈRE POUR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR COMPRENANT UN COMPOSÉ ORGANIQUE DE RUTHÉNIUM, ET PROCÉDÉ DE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR UTILISANT LADITE MATIÈRE PREMIÈRE POUR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR
(JA) 有機ルテニウム化合物からなる化学蒸着用原料及び該化学蒸着用原料を用いた化学蒸着法
要約: front page image
(EN) The present invention relates to a chemical vapor deposition feedstock for manufacturing a ruthenium thin film or ruthenium compound thin film by chemical vapor deposition, the chemical vapor deposition feedstock comprising an organic ruthenium compound represented by the following formula and in which two diazadiene ligands and two alkyl ligands are coordinated in ruthenium. In addition to being able to handle low temperature film formation, the organic ruthenium compounds used in the present invention are able to manufacture ruthenium thin films or ruthenium compound thin films without using oxygen gas.
(FR) La présente invention concerne une matière première pour dépôt chimique en phase vapeur destinée à la fabrication d'un film mince de ruthénium ou d'un film mince de composé de ruthénium par dépôt chimique en phase vapeur, ladite matière première pour dépôt chimique en phase vapeur comprenant un composé organique de ruthénium représenté par la formule suivante et dans lequel deux ligands diazadiène et deux ligands alkyle sont coordinés au ruthénium. En plus d'être en mesure de supporter la formation du film à basse température, les composés organiques de ruthénium utilisés dans la présente invention sont capables de fabriquer des films minces de ruthénium ou des films minces de composé de ruthénium sans utiliser d'oxygène gazeux.
(JA) 本発明は、化学蒸着法によりルテニウム薄膜又はルテニウム化合物薄膜を製造するための化学蒸着用原料において、次式で示される、ルテニウムに2つのジアザジエン配位子、及び、2つのアルキル配位子が配位した有機ルテニウム化合物からなる化学蒸着用原料に関する。本発明で適用する有機ルテニウム化合物は、低温成膜に対応できる上、酸素ガスを使用することなくルテニウム薄膜又はルテニウム化合物薄膜を製造することができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)