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1. (WO2017043528) SiC複合基板の製造方法及び半導体基板の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2017/043528    国際出願番号:    PCT/JP2016/076297
国際公開日: 16.03.2017 国際出願日: 07.09.2016
IPC:
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01)
出願人: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. [JP/JP]; 6-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP).
CUSIC INC. [JP/JP]; 2-10, Chuo 2-chome, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9800021 (JP)
発明者: KUBOTA Yoshihiro; (JP).
AKIYAMA Shoji; (JP).
NAGASAWA Hiroyuki; (JP)
代理人: PATENT PROFESSIONAL CORPORATION EI-MEI PATENT OFFICE; GINZA OHTSUKA Bldg. 2F, 16-12, Ginza 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040061 (JP)
優先権情報:
2015-179290 11.09.2015 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SiC COMPOSITE SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT COMPOSITE DE CARBURE DE SILICIUM, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) SiC複合基板の製造方法及び半導体基板の製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is a method for manufacturing an SiC composite substrate 10 having a single-crystal SiC layer 12 on a polycrystalline SiC substrate 11, wherein: the single-crystal SiC layer 12 is provided on one surface of a holding substrate 21 comprising Si, and a single-crystal SiC-layer carrier 14 is prepared; polycrystalline SiC is then accumulated on the single-crystal SiC layer 12 by a physical or chemical means, and an SiC laminate 15 is prepared in which the single-crystal SiC layer 12 and the polycrystalline SiC substrate 11 are laminated on the holding substrate 21; and the holding substrate 21 is then physically and/or chemically removed. With the present invention, an SiC composite substrate having a single-crystal SiC layer with good crystallinity is obtained with a simple manufacturing process.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat composite de carbure de silicium 10 ayant une couche de carbure de silicium monocristallin 12 sur un substrat de carbure de silicium polycristallin 11 : laquelle couche de carbure de silicium monocristallin 12 est disposée sur une surface d'un substrat de support 21 comprenant du Si, et un support de couche de carbure de silicium monocristallin 14 étant préparé; lequel carbure de silicium polycristallin est ensuite accumulé sur la couche de carbure de silicium monocristallin 12 par un moyen physique ou chimique, et un stratifié de carbure de silicium 15 étant préparé et la couche de carbure de silicium monocristallin 12 ainsi que le substrat de carbure de silicium polycristallin 11 étant stratifiés sur le substrat de support 21; et lequel substrat de support 21 est ensuite physiquement et/ou chimiquement retiré. Avec la présente invention, un substrat composite de carbure de silicium ayant une couche de carbure de silicium monocristallin avec une bonne cristallinité est obtenu avec un procédé de fabrication simple.
(JA)多結晶SiC基板11上に単結晶SiC層12を有するSiC複合基板10の製造方法であって、Siからなる保持基板21の片面に単結晶SiC層12を設けて単結晶SiC層担持体14を作製した後、該単結晶SiC層12上に物理的又は化学的手段により多結晶SiCを堆積して保持基板21上に単結晶SiC層12と多結晶SiC基板11とを積層したSiC積層体15を作製し、その後に上記保持基板21を物理的及び/又は化学的に除去するSiC複合基板の製造方法を提供する。本発明により簡便な製造プロセスで結晶性のよい単結晶SiC層を有するSiC複合基板が得られる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)