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1. (WO2017043344) シリコン含有平坦化性パターン反転用被覆剤
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2017/043344    国際出願番号:    PCT/JP2016/075066
国際公開日: 16.03.2017 国際出願日: 26.08.2016
IPC:
H01L 21/027 (2006.01), C08G 77/38 (2006.01), C09D 7/12 (2006.01), C09D 183/04 (2006.01), G03F 7/11 (2006.01), G03F 7/20 (2006.01), G03F 7/40 (2006.01)
出願人: NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 7-1, Kanda-Nishiki-cho 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010054 (JP)
発明者: SHIGAKI, Shuhei; (JP).
YAGUCHI, Hiroaki; (JP).
NAKAJIMA, Makoto; (JP)
代理人: HANABUSA PATENT & TRADEMARK OFFICE; Shin-Ochanomizu Urban Trinity, 2, Kandasurugadai 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010062 (JP)
優先権情報:
2015-177306 09.09.2015 JP
発明の名称: (EN) SILICON-CONTAINING PLANARIZING PATTERN-REVERSAL COATING AGENT
(FR) AGENT DE REVÊTEMENT DE MOTIF INVERSÉ DE PLANARISATION CONTENANT DU SILICIUM
(JA) シリコン含有平坦化性パターン反転用被覆剤
要約: front page image
(EN)[Problem] To provide a planarizing composition for a uneven substrate. [Solution] A composition coated on resist patterns and including a solvent and a modified polysiloxane wherein a polysiloxane comprising a hydrolyzed condensate of a hydrolyzable silane has some silanol groups that are capped. The proportion of silanol groups relative to total Si atoms in the modified polysiloxane is no more than 40 mol%. In this modified polysiloxane, the proportion of silanol groups in the polysiloxane is adjusted by reactions with alcohol. A production method for a semiconductor device, including: a step (1) in which a resist film is formed upon a substrate; a step (2) in which the resist film is exposed then developed and a resist pattern is formed; a step (3) in which the composition is coated upon the resist pattern during or after developing; and a step (4) in which the resist pattern is removed by etching and the pattern is reversed. The production method includes a step (3-1) in which, after step (3), the coated surface is etched back and the surface of the resist pattern is exposed.
(FR)Le problème décrit par la présente invention est de fournir une composition de planarisation destinée à un substrat irrégulier. La solution selon l'invention porte sur une composition appliquée sur des motifs de réserve et comprenant un solvant et un polysiloxane modifié, un polysiloxane comportant un condensat hydrolysé d'un silane hydrolysable présentant certains des groupes silanol qui sont coiffés. La proportion de groupes silanol par rapport à la totalité des atomes de Si dans le polysiloxane modifié n'est pas supérieure à 40 % en moles. Dans ce polysiloxane modifié, la proportion de groupes silanol dans le polysiloxane est réglée au moyen de réactions contenant de l'alcool. L'invention concerne également un procédé de production d'un dispositif semi-conducteur comprenant : une étape (1) dans laquelle un film de réserve est formé sur un substrat; une étape (2) dans laquelle le film de réserve est exposé puis développé et un motif de réserve est formé; une étape (3) dans laquelle la composition est appliquée sur le motif de réserve pendant ou après le développement; et une étape (4) dans laquelle le motif de réserve est éliminé par gravure et le motif est inversé. Le procédé de production comprend une étape (3-1) dans laquelle, après l'étape 3, la surface revêtue est gravée en retrait et la surface du motif de réserve est exposée.
(JA)【課題】 段差基板の平坦化用組成物を提供する。 【解決手段】 加水分解性シランの加水分解縮合物からなるポリシロキサンが有するシラノール基の一部がキャッピングされている変性ポリシロキサンと、溶媒とを含み、該変性ポリシロキサン中の全Si原子に対するシラノール基の割合が40モル%以下である、レジストパターンに塗布される組成物。上記ポリシロキサンが有するシラノール基がアルコールとの反応によりその割合を調整されている変性ポリシロキサンである。基板上にレジスト膜を形成する工程(1)、レジスト膜を露光し続いて現像しレジストパターンを形成する工程(2)、現像中又は現像後のレジストパターン上に上記組成物を塗布する工程(3)、レジストパターンをエッチングにより除去してパターンを反転させる工程(4)を含む半導体装置の製造方法。工程(3)の後に塗膜表面をエッチバックしてレジストパターンの表面を露出する工程(3-1)を含む。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)