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1. (WO2017041056) CHEMICALLY-SENSITIVE FIELD EFFECT TRANSISTORS, SYSTEMS, AND METHODS FOR MANUFACTURING AND USING THE SAME
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2017/041056 国際出願番号: PCT/US2016/050295
国際公開日: 09.03.2017 国際出願日: 02.09.2016
IPC:
G01N 27/403 (2006.01)
G 物理学
01
測定;試験
N
材料の化学的または物理的性質の決定による材料の調査または分析
27
電気的,電気化学的,または磁気的手段の利用による材料の調査または分析
26
電気化学的変量の調査によるもの;電解または電気泳動の利用によるもの
403
セルと電極の組合せ
出願人:
AGILOME, INC. [US/US]; 4225 Executive Square La Jolla, CA 92037, US
発明者:
HOFFMAN, Paul; US
代理人:
CLEARY, James, P.; US
ADAMS, Lisa; US
AMENDT, Kevin, C.; US
ASHRAF, Shovon; US
AZRIN, Linda, B.; US
優先権情報:
14/963,25309.12.2015US
15/065,74409.03.2016US
15/182,53314.06.2016US
15/225,76401.08.2016US
15/239,80017.08.2016US
62/213,11202.09.2015US
62/213,11702.09.2015US
62/213,15102.09.2015US
62/214,85004.09.2015US
62/214,89204.09.2015US
62/214,90104.09.2015US
62/214,91004.09.2015US
62/214,91204.09.2015US
62/215,01806.09.2015US
発明の名称: (EN) CHEMICALLY-SENSITIVE FIELD EFFECT TRANSISTORS, SYSTEMS, AND METHODS FOR MANUFACTURING AND USING THE SAME
(FR) TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP CHIMIQUEMENT SENSIBLES, SYSTÈMES ET PROCÉDÉS DE FABRICATION ET D'UTILISATION ASSOCIÉS
要約:
(EN) This invention concerns Chemically-sensitive Field Effect Transistors (ChemFETs) that are preferably fabricated using semiconductor fabrication methods on a semiconductor wafer, and in preferred embodiments, on top of an integrated circuit structure made using semiconductor fabrication methods. The instant ChemFETs typically comprise a conductive source, a conductive drain, and a channel composed of a one-dimensional (ID) or two-dimensional (2D) transistor nanomaterial, which channel extends from the source to the drain and is fabricated using semiconductor fabrication techniques on top of a wafer. The ChemFET also includes a gate, often the gate voltage is provided through a fluid or solution proximate the ChemFET. Such ChemFETs, preferably configured in independently addressable arrays, may be employed to detect a presence and/or concentration changes of various analyte types in chemical and/or biological samples, including nucleic acid hybridization and/or sequencing reactions.
(FR) La présente invention concerne des transistors à effet de champ chimiquement sensibles (ChemFET) qui sont de préférence fabriqués selon des procédés de fabrication de semi-conducteur sur une tranche de semi-conducteur et, dans des modes de réalisation préférés, sur le dessus d'une structure à circuits intégrés fabriquée selon des procédés de fabrication de semi-conducteur. Les ChemFET instantanés comprennent généralement une source conductrice, un drain conducteur et un canal en un nanomatériau de transistor unidimensionnel (1D) ou bidimensionnel (2D). Le canal s'étend de la source au drain et il est fabriqué selon des techniques de fabrication de semi-conducteur sur le dessus d'une tranche. Le ChemFET comprend également une grille. La tension de la grille est souvent délivrée par l'intermédiaire d'un fluide ou d'une solution à proximité du ChemFET. De tels ChemFET, de préférence agencés en réseaux adressables de manière indépendante, peuvent être utilisés pour détecter une présence et/ou des changements de concentration de divers types d'analytes dans des échantillons chimiques et/ou biologiques, notamment des réactions d'hybridation et/ou de séquençage d'acide nucléique.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 英語 (EN)
国際出願言語: 英語 (EN)