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1. (WO2017038979) 化合物及びその製造方法、並びに、組成物、光学部品形成用組成物、リソグラフィー用膜形成組成物、レジスト組成物、レジストパターンの形成方法、感放射線性組成物、アモルファス膜の製造方法、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜の製造方法、レジストパターン形成方法、回路パターン形成方法、及び、精製方法

Pub. No.:    WO/2017/038979    International Application No.:    PCT/JP2016/075814
Publication Date: Fri Mar 10 00:59:59 CET 2017 International Filing Date: Sat Sep 03 01:59:59 CEST 2016
IPC: C07C 43/23
C07C 41/26
C07D 301/28
C07D 303/28
C07D 303/30
C07B 61/00
Applicants: MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
三菱瓦斯化学株式会社
Inventors: ECHIGO, Masatoshi
越後 雅敏
Title: 化合物及びその製造方法、並びに、組成物、光学部品形成用組成物、リソグラフィー用膜形成組成物、レジスト組成物、レジストパターンの形成方法、感放射線性組成物、アモルファス膜の製造方法、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜の製造方法、レジストパターン形成方法、回路パターン形成方法、及び、精製方法
Abstract:
下記式(1)で表される化合物及びその製造方法、並びに、組成物、光学部品形成用組成物、リソグラフィー用膜形成組成物、レジスト組成物、レジストパターンの形成方法、感放射線性組成物、アモルファス膜の製造方法、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜の製造方法、レジストパターン形成方法、回路パターン形成方法、及び、精製方法。(1)(式(1)中、R1は、炭素数1~60の2n価の基又は単結合であり、R2~R5は、各々独立して炭素数1~30の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数6~30のアリール基、炭素数2~30のアルケニル基、下記式(A)で表される基、下記式(B)で表される基、チオール基又は水酸基であり、ここで、R2~R5からなる群より選ばれる少なくとも1つは、下記式(A)で表される基及び下記式(B)で表される基からなる群より選ばれる基であり、m2及びm3は各々独立して0~8の整数であり、m4及びm5は各々独立して0~9の整数であり、但し、m2、m3、m4及びm5は同時に0となることはなく、nは1~4の整数であり、p2~p5は各々独立して0~2の整数である。(A)(式(A)中、R6は各々独立して、炭素数1~4のアルキレン基であり、m'は1以上の整数である。)(B)(式(B)中、R6は前記と同義であり、R7は水素原子又はメチル基であり、m''は0又は1以上の整数である。))