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1. (WO2017038733) 光電変換素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2017/038733    国際出願番号:    PCT/JP2016/075121
国際公開日: 09.03.2017 国際出願日: 29.08.2016
IPC:
H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/0747 (2012.01)
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522 (JP)
発明者: ASANO, Naoki; (--).
KOBAYASHI, Masamichi; (--)
代理人: FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
優先権情報:
2015-170647 31.08.2015 JP
発明の名称: (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換素子
要約: front page image
(EN)A photoelectric conversion device comprises an n-type semiconductor substrate (1), a p-type amorphous semiconductor film (3) on a first surface (1a) side and a side surface (1c) of the semiconductor substrate (1), an n-type amorphous semiconductor film on the first surface side of the semiconductor substrate, a p-electrode (7) on the p-type amorphous semiconductor film (3), and an n-electrode (8) on the n-type amorphous semiconductor film (4). The p-electrode (7) is located on the p-type amorphous semiconductor film (3) that is positioned on the first surface (1a) side and the side surface (1c) of the semiconductor substrate (1).
(FR)L'invention concerne un dispositif de conversion photoélectrique qui comprend un substrat semi-conducteur du type n (1), un film semi-conducteur amorphe du type p (3) sur un côté première surface (1a) et une surface latérale (1c) du substrat semi-conducteur (1), un film semi-conducteur amorphe du type n sur un côté première surface du substrat semi-conducteur, une électrode p (7) sur le film semi-conducteur amorphe du type p (3) et une électrode n (8) sur le film semi-conducteur amorphe du type n (4). L'électrode p (7) est située sur le film semi-conducteur amorphe du type p (3) qui est positionné sur le côté première surface (1a) et la surface latérale (1c) du substrat semi-conducteur (1).
(JA)光電変換素子は、n型の半導体基板(1)と、半導体基板(1)の第1の面(1a)側および側面(1c)上のp型非晶質半導体膜(3)と、半導体基板の第1の面側のn型非晶質半導体膜と、p型非晶質半導体膜(3)上のp電極(7)と、n型非晶質半導体膜(4)上のn電極(8)とを備えている。p電極(7)は、半導体基板(1)の第1の面(1a)側および側面(1c)上に配置されたp型非晶質半導体膜(3)に位置している。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)