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1. (WO2017038296) 半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2017/038296    国際出願番号:    PCT/JP2016/071518
国際公開日: 09.03.2017 国際出願日: 22.07.2016
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/8234 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H01L 27/06 (2006.01), H01L 27/088 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/861 (2006.01), H01L 29/868 (2006.01)
出願人: DENSO CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Showa-cho, Kariya-city Aichi 4488661 (JP)
発明者: CHENG Weitao; (JP).
TAKAHASHI Shigeki; (JP).
SUMITOMO Masakiyo; (JP)
代理人: JIN Shunji; (JP)
優先権情報:
2015-174091 03.09.2015 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置
要約: front page image
(EN)A semiconductor device has a diode (200) provided with: a first-electroconductivity-type drift layer (1); a first-electroconductivity-type cathode region (4) formed on the back-surface side of the drift layer; a second-electroconductivity-type region (5) formed on the surface-layer portion of the front-surface side of the drift layer; a plurality of trenches (6) formed to be deeper than the second-electroconductivity-type region, the plurality of trenches (6) dividing the second electroconductivity-type region into multiple sections, and constituting an anode region (5b) with the second-electroconductivity-type region; a gate insulation film (8) formed on the front surface of the trenches; a gate electrode (9) formed on the front surface of the gate insulation film; an upper electrode (11) that is electrically connected to the anode region; and a lower electrode (12) that is electrically connected to the cathode region. The width of a portion of the plurality of trenches having the narrowest gap in the drift layer is defined as the mesa width, and the mesa width is set to be 0.3 µm or more.
(FR)L'invention porte sur un dispositif à semi-conducteurs comprenant une diode (200) pourvue : d'une couche de migration d'un premier type de conductivité électrique (1) ; d'une zone de cathode du premier type de conductivité électrique (4) formée côté surface arrière de la couche de migration ; d'une zone d'un second type de conductivité électrique (5) formée sur la partie couche superficielle du côté surface avant de la couche de migration ; d'une pluralité de tranchées (6) formées pour être plus profondes que la zone du second type de conductivité électrique, la pluralité de tranchées (6) divisant la zone du second type de conductivité électrique en de multiples segments, et constituant une zone d'anode (5b) avec la zone du second type de conductivité électrique ; d'un film d'isolation de grille (8) formé sur la surface avant des tranchées ; d'une électrode de grille (9) formée sur la surface avant du film d'isolation de grille ; d'une électrode supérieure (11) qui est connectée électriquement à la zone d'anode ; et d'une électrode inférieure (12) qui est connectée électriquement à la zone de cathode. La largeur d'une partie de la pluralité de tranchées ayant l'espace le plus étroit dans la couche de migration est définie comme étant la largeur de mesa, et la largeur de mesa est réglée pour être supérieure ou égale à 0,3 µm.
(JA)半導体装置は、第1導電型のドリフト層(1)と、ドリフト層の裏面側に形成された第1導電型のカソード領域(4)と、ドリフト層の表面側の表層部に形成された第2導電型領域(5)と、第2導電型領域よりも深く形成されて第2導電型領域を複数に分けると共に、第2導電型領域によってアノード領域(5b)を構成する複数のトレンチ(6)と、トレンチの表面に形成されたゲート絶縁膜(8)と、ゲート絶縁膜の表面に形成されたゲート電極(9)と、アノード領域に電気的に接続された上部電極(11)と、カソード領域と電気的に接続された下部電極(12)と、を備えたダイオード(200)を有する。複数のトレンチの間のうち、ドリフト層において最も間隔が狭くなる部分の幅をメサ幅として、該メサ幅が0.3μm以上に設定されている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)