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1. (WO2017038139) 窒化物半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2017/038139    国際出願番号:    PCT/JP2016/060504
国際公開日: 09.03.2017 国際出願日: 30.03.2016
予備審査請求日:    05.09.2016    
IPC:
H01L 21/338 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 27/095 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/41 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01)
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522 (JP)
発明者: ICHIJOH, Hisao; (--).
KUBO, Masaru; (--).
FUKUMI, Masayuki; (--).
FUJII, Norihisa; (--)
代理人: SAMEJIMA, Mutsumi; (JP)
優先権情報:
2015-169486 28.08.2015 JP
発明の名称: (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE
(JA) 窒化物半導体装置
要約: front page image
(EN)A nitride semiconductor device is provided with a second insulating film (22) covering at least a drain electrode (19) and a thermal stress reducing part for reducing thermal stress at a position where thermal stress generated between the drain electrode (19) and the second insulating film (22) is the highest during load shorting. A thermal stress reducing part (19f) is a drain field plate (19f) formed by the upper part of the drain electrode (19) extending toward a source electrode (18).
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur nitrure doté d'un second film isolant (22) recouvrant au moins une électrode de drain (19) et d'une partie de réduction de contrainte thermique pour la réduction d'une contrainte thermique à une position où une contrainte thermique générée entre l'électrode de drain (19) et le second film isolant (22) est la plus élevée lors de la mise en court-circuit de charge. Une partie de réduction de contrainte thermique (19f) est une plaque de champ de drain (19f) formée par la partie supérieure de l'électrode de drain (19) s'étendant vers une électrode de source (18).
(JA)窒化物半導体装置は、少なくともドレイン電極(19)を覆う第2の絶縁膜(22)と、負荷短絡時に、ドレイン電極(19)と第2の絶縁膜(22)との間に発生する熱応力が最大となる位置における熱応力を低減する熱応力低減部とを備える。熱応力低減部(19bf)は、ドレイン電極(19)の上部がソース電極(18)に向かって延在してなるドレインフィールドプレート部(19bf)である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)