国際・国内特許データベース検索

1. (WO2017038108) 半導体装置、及び半導体装置の製造方法

Pub. No.:    WO/2017/038108    International Application No.:    PCT/JP2016/053635
Publication Date: Fri Mar 10 00:59:59 CET 2017 International Filing Date: Tue Feb 09 00:59:59 CET 2016
IPC: H01L 21/3205
H01L 21/768
H01L 23/522
Applicants: SOCIONEXT INC.
株式会社ソシオネクスト
Inventors: OHIRA, Hikaru
大平 光
OCHIMIZU, Hirosato
落水 洋聡
OWADA, Tamotsu
大和田 保
Title: 半導体装置、及び半導体装置の製造方法
Abstract:
信頼性の高い貫通ビアを有する半導体装置を提供する。半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上の第1の配線層に形成された第1配線と、前記半導体基板を貫通し前記第1配線に接続される貫通ビアと、前記貫通ビアと前記第1の配線層の界面で、前記第1配線の配線間スペースに対応する箇所に位置する第1の絶縁膜と、を有する。