このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2017038072) 光検出器
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2017/038072 国際出願番号: PCT/JP2016/003907
国際公開日: 09.03.2017 国際出願日: 26.08.2016
IPC:
H01L 31/10 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
08
輻射線が装置内を流れる電流を制御するもの,例.光―抵抗器(フォト―レジスター)
10
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの,例.フォトトランジスタ
出願人:
日本電信電話株式会社 NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区大手町一丁目5番1号 5-1, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008116, JP
発明者:
福田 浩 FUKUDA, Hiroshi; JP
亀井 新 KAMEI, Shin; JP
都築 健 TSUZUKI, Ken; JP
地蔵堂 真 JIZODO, Makoto; JP
菊池 清史 KIKUCHI, Kiyofumi; JP
代理人:
特許業務法人 谷・阿部特許事務所 TANI & ABE, P.C.; 東京都港区赤坂2丁目6-20 6-20, Akasaka 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1070052, JP
優先権情報:
2015-16977928.08.2015JP
発明の名称: (EN) PHOTODETECTOR
(FR) PHOTODÉTECTEUR
(JA) 光検出器
要約:
(EN) The present invention provides a germanium photodetector in which dark current is reduced without loss of photocurrent. This invention is provided with: a silicon substrate; a lower cladding layer formed on the silicon substrate; a core layer (210) formed on the lower cladding layer; a p-type silicon slab (211) formed on a part of the core layer (210) and doped with p-type impurity ions; p++ silicon electrode parts (212, 213) doped with a p-type impurity in a high concentration, the p++ silicon electrode parts (212, 213) acting as electrodes; and germanium layers (241, 242) for absorbing light. The invention is further provided with an upper cladding layer, an n-type germanium region of the upper part of the germanium layers that has been doped with an n-type impurity, and an electrode. In the present invention, by having two germanium layers (241, 242) provided on the p-type silicon slab (211), the area over which each of the germanium layers is in contact with the p-type silicon slab (211) is reduced, which makes it possible to reduce dark current caused by threading dislocation.
(FR) La présente invention concerne un photodétecteur au germanium permettant de réduire le courant d'obscurité sans perte de courant photoélectrique. Cette invention est pourvue : d'un substrat de silicium ; d'une couche de gainage inférieure formée sur le substrat de silicium ; d'une couche centrale (210) formée sur la couche de gainage inférieure ; d'une plaque de silicium de type p (211) formée sur une partie de la couche centrale (210) et dopée avec des ions d'impuretés de type p ; de parties d'électrode de silicium p++ (212, 213) dopées avec une impureté de type p suivant une concentration élevée, les parties d'électrode de silicium p++ (212, 213) agissant comme des électrodes ; et de couches de germanium (241, 242) permettant d'absorber la lumière. L'invention est en outre pourvue d'une couche de gainage supérieure, d'une région de germanium de type n de la partie supérieure des couches de germanium qui a été dopée avec une impureté de type n, et d'une électrode. Dans la présente invention, en ayant deux couches de germanium (241, 242) disposées sur la plaque de silicium de type p (211), la zone sur laquelle chacune des couches de germanium est en contact avec la plaque de silicium de type p (211) est réduite, ce qui permet de réduire le courant d'obscurité provoqué par dislocation émergente.
(JA) 本発明は、光電流を損なうことなく、暗電流を低減したゲルマニウム光検出器を提供する。シリコン基板と、シリコン基板上に形成された下部クラッド層と、下部クラッド層上に形成されたコア層(210)と、コア層(210)の一部に形成されたp型不純物イオンがドーピングされたp型シリコンスラブ(211)、およびp型不純物が高濃度にドーピングされ、電極として作用するp++シリコン電極部(212、213)と、光を吸収するゲルマニウム層(241、242)を備える。さらに、上部クラッド層、ゲルマニウム層の上部のn型不純物がドーピングされたn型ゲルマニウム領域、および電極を備える。本発明は、p型シリコンスラブ(211)上に2つのゲルマニウム層(241、242)を備えることにより、個々のゲルマニウム層のp型シリコンスラブ(211)と接する面積を小型化することで、貫通転位に起因する暗電流を削減することが出来る。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)