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1. (WO2017037937) 反応管、基板処理装置および半導体装置の製造方法

Pub. No.:    WO/2017/037937    International Application No.:    PCT/JP2015/075172
Publication Date: Fri Mar 10 00:59:59 CET 2017 International Filing Date: Sat Sep 05 01:59:59 CEST 2015
IPC: H01L 21/31
C23C 16/44
H01L 21/318
Applicants: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
株式会社日立国際電気
Inventors: YOSHIDA, Hidenari
吉田 秀成
TANIYAMA, Tomoshi
谷山 智志
NAKADA, Takayuki
中田 高行
Title: 反応管、基板処理装置および半導体装置の製造方法
Abstract:
処理領域に悪影響を与えずに、断熱領域をパージすることができる技術を提供する。 基板を処理する処理領域と前記処理領域の下方に位置する断熱領域とを含む処理室を内部に有し、処理領域の雰囲気を排気する第1排気部と、断熱領域と高さ方向において重なる位置に形成され、断熱領域の雰囲気を排気する第2排気部と、を有する。